[发明专利]晶圆真空键合机及键合方法有效
申请号: | 201410570392.5 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN104362107A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 尹明;唐昊 | 申请(专利权)人: | 浙江中纳晶微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 李迎春 |
地址: | 315105 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 键合机 方法 | ||
1.一种晶圆真空键合机,其特征在于:它包括箱体(1),所述箱体(1)内设有真空发生器,所述箱体(1)上设有内部封闭的压机(2),所述压机(2)包括设于箱体(1)上的夹具(2.2)以及设在夹具(2.2)上并在盖上时使内部封闭的盖子(2.1),所述盖子(2.1)内设有压板(7),所述压板(7)的下表面设有加热板(9),所述压板(7)和加热板(9)之间设有隔热层(8),所述夹具(2.2)内设有用于放置晶圆的托盘(3),所述托盘(3)的下方设有加热装置,所述托盘(3)的周围设有多个在直径方向移动的定位块(4),所述每个定位块(4)由设置在夹具(2.2)外壁上的气缸(5)带动,所述每个定位块(4)的头部还设有支架(4.1)。
2.根据权利要求1所述的晶圆真空键合机,其特征在于:所述支架(4.1)为连接在定位块(4)头部的金属丝向外弯曲制成。
3.根据权利要求1所述的晶圆真空键合机,其特征在于:所述夹具(2.2)内还设有垂直于夹具(2.2)底部的多个等高的限位块(6)。
4.根据权利要求1所述的晶圆真空键合机,其特征在于:所述定位块(4)有三个,所述三个定位块(4)在托盘(3)周围均匀布置。
5.根据权利要求1所述的晶圆真空键合机,其特征在于:所述箱体(1)上至少设有一个由推动机构(11)带动的“C”形夹头(12),当盖子(2.1)盖在夹具(2.2)上时,所述夹头(12)在向内推动能够夹住夹具(2.2)和盖子(2.1)的边缘,使夹具(2.2)和盖子(2.1)夹紧。
6.根据权利要求1所述的晶圆真空键合机,其特征在于:所述盖子(2.1)通过一支撑架(13)连接在箱体(1)上,所述箱体(1)上设有一支撑座(14),所述支撑架(13)的一端与支撑座(14)铰接,支撑架(13)的另一端与盖子(2.1)的外侧的中部铰接使盖子(2.1)可以相对于支撑架(13)转动。
7.根据权利要求6所述的晶圆真空键合机,其特征在于:所述盖子(2.1)与支撑架(13)铰接是指,所述支撑架(13)上设有转动孔(13.1)和销孔(13.2),盖子(2.1)通过一转轴(15)穿过转动孔(13.1)与支撑架(13)连接并可相对于支撑架(13)转动,盖子(2.1)通过一销子穿过销孔(13.2)与支撑架(13)连接。
8.根据权利要求6所述的晶圆真空键合机,其特征在于:所述转动孔(13.1)为腰型孔,所述转轴(15)在腰型孔中可左右移动,所述夹具(2.2)上设有导向槽(16),所述盖子(2.1)上设有与该导向槽(16)配合的导向凸起(17),所述盖子(2.1)盖在夹具(2.2)上时,导向凸起(17)嵌入导向槽(16)内。
9.一种晶圆键合方法,其特征在于:它包括以下步骤:
S1、将上面涂键合胶的第一块晶圆放到托盘上;
S2、通过气缸控制多个定位块向托盘方向前进,将第一块晶圆定位;
S3、在定位块支架上放置第二块晶圆,然后盖上盖子封闭压机,并抽真空;
S4,当真空度到达设定值时,控制多个定位块后退,第二块晶圆从定位块支架上降落到第一块晶圆上面;
S5,通过气缸控制多个定位块再次向托盘方向前进,对两块晶圆进行定位;
S6、通过压机控制压板向下,使第一块晶圆和第二块晶圆压合,维持t分钟;
S7、控制多个定位块再次后退,然后控制加热板和加热装置进行加热使键合胶固化;
S8、键合完成后,打开压机,将键合后的晶圆取出。
10.根据权利要求9所述的晶圆键合方法,其特征在于:所述步骤S4中,真空度的设定值为:5~15帕,所述步骤S6中压合的时间t为2~10分钟,所述步骤S7中加热温度为:200~300度,时间为5~15分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造