[发明专利]一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法

权利要求书

1. 一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一.首先利用HCl气体对外延炉的基座进行腐蚀，以去除基座上的残余沉积物，腐蚀温度设定为1150~1200℃，HCl气体纯度≥99.99%，流量设定为1~3 L/min，腐蚀时间设定为3~5min，随后给基座包上一层本征多晶硅，多晶硅的生长原料为三氯氢硅气体，纯度≥99.95%，流量设定为30~35 g/min，生长时间设定为10~15min； 

步骤二.在基座的片坑内装入单晶硅衬底片，依次利用氮气和氢气吹扫外延炉的反应腔室，氮气和氢气的气体纯度均≥99.999%，吹扫气体流量设定为100~150L/min，吹扫时间设定为8~10min；

步骤三.在H₂环境下对单晶硅衬底片进行高温烘焙，以去除衬底表面的残留杂质，H₂气体流量设定为280~320 L/min，烘焙温度设定为1160~1200℃，烘焙时间设定为2~5 min；

步骤四.对单晶硅衬底片表面进行气相抛光，H₂气体输送HCl气体进入反应腔室，H₂流量设定为250~300 L/min，抛光气体HCl流量设定为1~3 L/min，抛光温度设定为1150~1200℃，抛光时间设定为3~5 min；

步骤五.外延层生长时的外延炉压力始终维持在0.1 MPa的常压，外延炉的基座顶盘高度控制在45~50mm，外延炉的基座转速控制在2.0~3.0r/min，外延层的生长温度设定为1120~1150℃，外延生长时采用H₂输送三氯氢硅和硼烷掺杂剂进入反应腔室，H₂流量控制在290~300L/min，三氯氢硅作为硅外延生长的原料，流量设定为25~30 g/min，外延层生长速率控制在1~1.5μm/min，硼烷掺杂剂纯度为50 ppm，流量设定为55～60sccm；

步骤六.外延层生长达到预定的厚度后开始降温，并依次利用氢气和氮气吹扫外延炉的反应腔室，气体流量设定为100~150L/min，吹扫时间设定为8~10min；

步骤七.将外延片从基座片坑内取下，利用红外线干涉法对外延层的厚度及均匀性进行测量，记录中心点及四个距边缘10 mm的位置的厚度，并获得厚度平均值及均匀性。

2.根据权利要求1的一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法，其特征在于：所述的外延炉为PE-2061S型桶式外延炉。