[发明专利]一种锗单晶抛光片的清洗方法

权利要求书

1.一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：采用锗单晶抛光片清洗液对锗单晶抛光片进行清洗，清洗过程分为浸泡清洗、溢流清洗以及快排冲洗三个步骤，所述的锗单晶抛光片清洗液是由氢氟酸溶液、氧化剂溶液、去离子水三种成分组成的混合溶液；氢氟酸溶液、氧化剂溶液、去离子水混合的体积比为（300-500）：（5-20）：8000；氢氟酸溶液的浓度为48~50%；氧化剂溶液的浓度为0.1-1%；具体清洗步骤如下：

步骤一. 浸泡清洗：采用清洗液对锗单晶抛光片进行浸泡清洗，清洗时间为10~300秒，清洗温度为20~25℃；

步骤二. 溢流清洗：使用去离子水对锗单晶抛光片进行溢流清洗，清洗时间为60~300秒；

步骤三. 快排冲洗：使用去离子水对锗单晶抛光片进行快排冲洗，冲洗次数3~5次，每次冲洗时间为80~120秒；

步骤四.使用甩干机将锗片甩干。

2.根据权利要求1所述的一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：

所述的氧化剂溶液是双氧水溶液、高锰酸钾溶液、次氯酸钾溶液中的任意一种。