[发明专利]一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是具备如下步骤：

在具有铝背电极、PN结晶体硅片的正面丝网印刷前栅线电极种子层；

沉积氮化硅减反射层；

激光刻槽的方法除去前栅线电极表面的氮化硅；

电镀前栅线电极；

电镀前栅线电极保护层金属。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是：所用的晶体硅片是经过制绒、磷扩散、去磷硅玻璃、印刷铝背电极等工艺流程的半成品晶体硅太阳能电池片。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是：所述的丝网印刷前栅线电极种子层材料为Ni，Co，W中的一种或者任意两种材料的混合浆料，丝网印刷的细栅线宽度为20μm-80μm，主栅线宽度为1mm-2mm,栅线的厚度为10nm-100nm。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是：采用PECVD工艺，在印刷前栅线电极种子层后的晶体硅片上沉积氮化硅减反射层，沉积温度为275℃-450℃，氮化硅层的厚度为60nm-100nm，并利用沉积时的温度对种子层进行退火处理。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是：所述激光刻槽的方法是利用激光除去种子层表面的氮化硅，同时对种子层进行二次退火，形成欧姆接触层。

6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是：前栅线电极为Cu、Ag或其合金电极。

7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是：前栅线电极是通过光诱导电镀、横流电镀、恒压电镀、脉冲电镀等方法中的一种或者任意两种方法混合电镀而成。

8.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是：前栅线电极保护层为Sn,Ag金属材料。