[发明专利]一种硅深孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅深孔刻蚀方法，包括：

a.在硅片(100)上均匀涂覆掩膜(101)，在掩膜(101)上形成所需图 形；

b.基于掩膜(101)图案，采用稳态工艺在所述硅片上刻蚀深孔(102)；

c.在所述第一深孔(102)的侧壁及底部形成钝化层(200)；

d.去除位于所述所述深孔(102)底部的钝化层(200)；

e.采用bosch工艺进行交替深刻蚀，对深孔进行深化，得到加深的第二深 孔(103)；

f.去除钝化层(200)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一深孔(102)的深 度为1um～100um，所述第二深孔(103)的深度为10um～500um。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜为光刻胶掩膜或 金属掩膜或介质类掩膜，其中，在所述步骤b中，采用 SF₆/NF₃/C₄F₈/CH2F2/O₂/He/Ar/N₂中的一种和/或几种的组合气体稳态等离子刻 蚀Si。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤b的工艺条件为： 压力：8～80mT，感应耦合等离子功率：100W～3000W，偏置功率：50W～200W， SF₆流量：10～2000sccm；O₂流量：3～1000sccm；He流量：100～2000sccm， CH2F25～200sccm，N210～200sccm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤c中，采用C_xH_yF_z气体作为等离子侧壁钝化气体，包括C₄F₈气体和/或其他气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤c中，钝化层 (200)的厚度为100～200nm。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述步骤c的工艺条 件为：压力：20～300mT，感应耦合等离子功率：100W～3000W，偏置功率： 0W～200WC₄F₈流量：10sccm～2000sccm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，采用 SF₆/CF₄/O₂气体作为底部钝化层等离子开启气体。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤d的工艺条件为： 压力：5～300mT，感应耦合等离子功率：100W～3000W，偏置功率：0W～200W， SF₆流量：10sccm～2000sccm；O₂流量：0～500sccm。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤e中，采用 Bosch工艺进行深硅刻蚀包括钝化步和刻蚀步，其中，钝化步采用C₄F₈气体， 刻蚀步采用SF₆气体。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述步骤e中，钝化 步的工艺条件为：压力：20～300mT，感应耦合等离子功率：100W～3000W， 偏置功率：0W～200W，C₄F₈流量:10sccm～2000sccm，时间：0.5s～10s。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述步骤e中，刻蚀 步的工艺条件为：压力：20～300mT，感应耦合等离子功率：100W～3000W， 偏置功率：0W～200W，C₄F₈流量:10sccm～2000sccm，时间：0.5s～10s。