[发明专利]温度传感器在审
申请号: | 201410571341.4 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN104634471A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 凯瑟琳·欧苏利文;安东尼·赫利希;安东尼·马赫;巴拉苏博拉马尼姆·维德海纳森;陈阳 | 申请(专利权)人: | 森萨塔科技百慕大有限公司 |
主分类号: | G01K7/18 | 分类号: | G01K7/18 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 马佑平;马铁良 |
地址: | 百慕大汉密尔*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度传感器 | ||
1.一种温度传感器,包括:
衬底(1);
铂电阻(2),布置在所述衬底(1)上;
保护层(4),覆盖所述铂电阻(2);
覆盖层(5),覆盖所述保护层(4);
所述覆盖层(5)包含Al2O3和Si2O;
其特征在于,所述覆盖层(5)还包含Y2O3。
2.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含至少5%重量的Y2O3,优选至少10%重量的Y2O3。
3.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含的Si2O的重量大于Al2O3的重量。
4.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含的Al2O3的重量大于Y2O3的重量。
5.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含小于30%重量的Y2O3,优选为小于20%重量的Y2O3。
6.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含15%-30%重量的Al2O3,优选20%-25%重量的Al2O3。
7.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含30%-70%重量的Si2O,优选40%-60%重量的Si2O。
8.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含0%-25%重量的B2O3,优选1%-20%重量的B2O3。
9.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)还包含小于20%重量,优选小于10%重量,且不是Al2O3、Si2O、Y2O3或B2O3的成分。
10.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)是釉层。
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