[发明专利]温度传感器在审

专利信息
申请号: 201410571341.4 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN104634471A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 凯瑟琳·欧苏利文;安东尼·赫利希;安东尼·马赫;巴拉苏博拉马尼姆·维德海纳森;陈阳 申请(专利权)人: 森萨塔科技百慕大有限公司
主分类号: G01K7/18 分类号: G01K7/18
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 马佑平;马铁良
地址: 百慕大汉密尔*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 温度传感器
【权利要求书】:

1.一种温度传感器,包括:

衬底(1);

铂电阻(2),布置在所述衬底(1)上;

保护层(4),覆盖所述铂电阻(2);

覆盖层(5),覆盖所述保护层(4);

所述覆盖层(5)包含Al2O3和Si2O;

其特征在于,所述覆盖层(5)还包含Y2O3

2.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含至少5%重量的Y2O3,优选至少10%重量的Y2O3

3.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含的Si2O的重量大于Al2O3的重量。

4.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含的Al2O3的重量大于Y2O3的重量。

5.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含小于30%重量的Y2O3,优选为小于20%重量的Y2O3

6.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含15%-30%重量的Al2O3,优选20%-25%重量的Al2O3

7.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含30%-70%重量的Si2O,优选40%-60%重量的Si2O。

8.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)包含0%-25%重量的B2O3,优选1%-20%重量的B2O3

9.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)还包含小于20%重量,优选小于10%重量,且不是Al2O3、Si2O、Y2O3或B2O3的成分。

10.根据前述权利要求任一项所述的温度传感器,其特征在于,所述覆盖层(5)是釉层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于森萨塔科技百慕大有限公司,未经森萨塔科技百慕大有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410571341.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top