[发明专利]垂直形貌修整

权利要求书

1.一种用于在蚀刻层中蚀刻特征的方法，包括：

在所述蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，所述光刻胶特征具有侧壁，其中所述光刻胶特征的所述侧壁具有沿所述光刻胶特征的深度的不规则形貌；

修正沿所述光刻胶特征的所述侧壁的所述光刻胶特征的深度的所述不规则形貌，所述修正包括至少一个循环，其中每个循环包括：

采用沉积气体进行的侧壁沉积阶段；以及

采用形貌成形气体进行的形貌成形阶段,所述形貌成形阶段在所述侧壁沉积阶段之后进行；

在修正所述不规则形貌后,穿过所述光刻胶特征将特征蚀刻入所述蚀刻层；以及

去除所述掩模,

其中所述侧壁沉积阶段包括：

提供沉积气体，所述沉积气体包括碳氢化合物、碳氟化合物和氢氟碳化合物中的至少一种；

从所述沉积气体形成等离子体；以及

停止所述沉积气体的流动,

其中所述形貌成形阶段包括：

提供形貌成形气体，所述形貌成形气体包括C_xF_y、NF₃和C_xH_yF_z中的至少一种；

从所述形貌成形气体形成等离子体；以及

停止所述形貌成形气体的流动。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述不规则形貌是倾斜侧壁、颈状收缩的侧壁、退化侧壁和驻波变形侧壁中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中对沿所述光刻胶特征的深度的不规则形貌的修正将所述光刻胶特征的侧壁转变为垂直形貌侧壁。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述垂直形貌侧壁是从底部到顶部与所述光刻胶特征的底部成88°到90°角的侧壁。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述沉积气体进一步包括氧化添加剂和还原添加剂中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述沉积气体进一步包括运载气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述形貌成形气体进一步包括氧化添加剂和还原添加剂中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述形貌成形气体进一步包括运载气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述修正所述不规则形貌包括多个循环。

10.一种用于在蚀刻层中蚀刻具有垂直形貌侧壁的特征的方法，包括：

在所述蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，所述光刻胶特征具有侧壁，其中所述光刻胶特征的所述侧壁具有非垂直形貌侧壁；

修正所述非垂直形貌侧壁以形成具有垂直形貌侧壁的光刻胶特征，所述修正包括多个循环，其中每个循环包括：

采用沉积气体进行的侧壁沉积阶段；以及

采用形貌成形气体进行的形貌成形阶段，所述形貌成形阶段在所述侧壁沉积阶段之后进行；

修正所述非垂直形貌侧壁后，穿过所述光刻胶特征将具有垂直形貌侧壁的特征蚀刻入所述蚀刻层；以及

去除所述掩模,

其中所述侧壁沉积阶段包括：

提供沉积气体，所述沉积气体包括碳氢化合物、碳氟化合物和氢氟碳化合物中的至少一种以及氧化添加剂和还原添加剂中的至少一种；

从所述沉积气体形成等离子体；以及

停止所述沉积气体的流动,

其中所述形貌成形阶段包括：

提供形貌成形气体，所述形貌成形气体包括C_xF_y、NF₃和C_xH_yF_z中的至少一种以及氧化添加剂和还原添加剂中的至少一种；

从所述形貌成形气体形成等离子体；以及

停止所述形貌成形气体的流动。

11.根据权利要求10所述的方法，其中对沿所述光刻胶特征的深度的非垂直形貌的修正将所述光刻胶特征的侧壁转变为垂直形貌侧壁。