[发明专利]一种结型场效应管的制作方法

权利要求书

1.一种结型场效应管的制作方法，其特征在于，该方法包括：

对场氧化后的衬底的部分氧化层进行刻蚀；

将所述刻蚀后的衬底进行第一杂质的第一次注入，并通过高温氮气将所述 刻蚀后的衬底进行第一杂质的第一次驱入，形成阱区；

将第二杂质注入所述阱区，通过高温氮气对所述注入的第二杂质进行驱入 形成栅极区；

对形成栅极区后的衬底上表面的氧化层进行部分刻蚀，并进行第一杂质的 第二次注入，形成源区和漏区；

在所述形成源区和漏区后的衬底上表面生成介质层，制作接触孔和金属层；

其中，所述第一杂质的类型和所述第二杂质的类型不同。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一杂质的类型包括：磷 离子或硼离子。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对场氧化后的衬底的部分 氧化层进行刻蚀，包括：

刻蚀部分氧化层至所述衬底内，刻蚀出沟槽。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沟槽横截面为梯形结构。

5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述沟槽在衬底内的深度 为1-4um，所述沟槽上表面的宽度为2-20um。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一杂质第一次注入的离 子剂量小于所述第一杂质第二次注入的离子剂量。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成源区和漏区后的衬 底上表面生成介质层，制作接触孔和金属层，包括：

对所述介质层进行刻蚀，刻蚀出接触孔；

在所述刻蚀出接触孔后的衬底上表面生长金属层，对所述金属层进行刻蚀。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介质层由不掺杂的二氧化 硅和磷硅玻璃组成。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属层包括源级金属层、 栅极金属层和漏极金属层，其中，所述金属层的材料为铝、硅、铜合金。