[发明专利]AMOLED显示面板的扇出线结构在审
申请号: | 201410572652.2 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN105575994A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 蔡学明 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201508 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示 面板 出线 结构 | ||
技术领域
本发明涉及AMOLED显示面板,尤其是指一种AMOLED显示面板 的扇出线结构。
背景技术
AMOLED显示面板具有显示区域(displayarea)以及周边电路区 (peripheralcircuitarea)。显示区域内配置有多个像素(pixel)以形成像 素阵列,周边电路区则设有周边线路(peripheralcircuit)。每个像素都包 括薄膜晶体管(TFT)以及与该薄膜晶体管连接的像素电极,且每个像素 都被两条相邻的扫描线以及两条相邻的数据线包围。通常,这些扫描线以 及数据线会由显示区域延伸至周边电路区,并通过周边电路与驱动芯片 (driverIC)电性连接。一般而言,驱动芯片有特定的尺寸设计,周边电 路会由连接扫描线与数据线的一端向驱动芯片所在的区域集中而构成扇 出(fanout)线,构成扇出线的区域则称为扇出区(fanoutarea)。
配合参看图1所示,是现有的一种AMOLED显示面板的结构示意图, AMOLED显示面板包括线路板区域90、显示区域91、引线板(OLB)92、 驱动芯片93以及柔性电路板(FPC)96。其中,显示区域91内布满了信 号线以及薄膜晶体管,驱动芯片93通过扇出线94将显示区域91的信号 线与引线板92的引脚95电性连接,柔性电路板96通过扇出线94与驱动 芯片93电性连接。
现如今AMOLED面板的线路板区域的宽度趋势倾向愈来愈窄,如图 1所示的,现有的AMOLED显示面板的扇出线94均为同层金属线,再结 合图2与图3所示,一方面同层金属线之间因制程与机台能力的局限问题 (因曝光与显影均有机台极限考量),扇出线94之间的横向间隔距离a 无法制作到很小,导致无法减小AMOLED面板的线路板区域90的宽度。 另一方面如果将同层金属线的扇出线94之间的横向间隔距离制作到很 小,那么扇出线的宽度(line)与扇出线之间的间距(space)之间的比率 line/space就会增大,又会容易造成扇出线94之间发生短路的问题,导致 产品的良率降低。
因此由于AMOLED面板本身同层金属线之间的制程极限问题,一直 无法克服AMOLED面板的线路板区域的宽度精进的要求,导致AMOLED 面板的线路板区域的宽度无法缩小,故如何将AMOLED面板的线路板区 域的宽度变窄是本领域亟待解决的一个重要的课题。
发明内容
有鉴于上述问题,本发明提供了一种AMOLED显示面板的扇出线结 构,包括:第一金属层与第二金属层,所述第一金属层与所述第二金属层 相互层叠设置,所述第一金属层上刻蚀形成有间距排列的第一扇出线,所 述第二金属层上刻蚀形成有间距排列的第二扇出线。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构,将第一扇出线与第二扇出 线分别刻蚀形成于相互层叠设置的第一金属层与第二金属层上,因此不会 受到制程与机台能力的限制,就可以将第二扇出线在第一金属层上的投影 与第一扇出线之间的横向间隔距离制作到很小,进而缩小AMOLED显示 面板的线路板区域的宽度,解决了现有技术中同层金属线之间因制程与机 台能力的局限问题,扇出线之间的横向间隔距离无法缩小的问题。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构的进一步改进在于,所述第 二扇出线相对于所述第一扇出线呈交错排列。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构的进一步改进在于,所述第 一金属层与所述第二金属层为同种材料的金属层。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构的进一步改进在于,所述第 一金属层与所述第二金属层为不同材料的金属层。由于不同材料的金属层 的阻抗不同,可以更好的降低第一扇出线与第二扇出线之间发生短路的机 率,进而提升产品制程良率。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构的进一步改进在于,所述第 一扇出线为等间距地布设,所述第二扇出线为等间距地布设。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构的进一步改进在于,所述第 一扇出线与所述第二扇出线的宽度相同。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构的进一步改进在于,所述第 一扇出线与所述第二扇出线的宽度均为3.5μm。
本发明AMOLED显示面板的扇出线结构的进一步改进在于,所述第 二扇出线在所述第一金属层上的投影与所述第一扇出线的间距为1.25μ m。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的