[发明专利]一种功率合成放大器在审
| 申请号： | 201410575458.X | 申请日： | 2014-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN105634418A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王耀斌 | 申请（专利权）人： | 陕西高新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人： | 刘斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 合成 放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率合成放大器，其特征在于：由驱动MMIC芯片、分支波导耦合器、E面波导-微带双探针组成、MMIC芯片；其中，MMIC芯片一端通过分第一E面波导-微带双探针连接第一分支波导耦合器；另一端通过第二E面波导-微带双探针连接第二分支波导耦合器；驱动MMIC芯片、第一分支波导耦合器、第一E面波导-微带双探针、4个并列MMIC芯片、第二E面波导-微带双探针组成与第二支波导耦合器依次串联。
2.如权利要求1一种功率合成放大器，其特征在于：所述的分支波导耦合器由输入端、隔离端、直通端以及耦合端共4个端口组成。
3.如权利要求1一种功率合成放大器，其特征在于：所述的E面波导-微带双探针由E面、同侧面、对面放置的双探针结构构成。
4.如权利要求1一种功率合成放大器，其特征在于：所述的MMIC芯片采用Ku波段20w的GaNMMIC单片。
5.如权利要求1一种功率合成放大器，其特征在于：所述的驱动MMIC芯片是Ku波段6.3w的GaAsMMIC单片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西高新能源发展有限公司，未经陕西高新能源发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410575458.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
