[发明专利]蚀刻液组合物及蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，用于蚀刻含铜金属层，该蚀刻液组合物包含：

过氧化氢；

质子源，该质子源排除含氟酸；

有机碱化合物，该有机碱化合物为具有至少一个氮原子与至少一个碳原子的链状化合物，且该有机碱化合物的pH大于8；以及

氨基酸类化合物或其盐类，该氨基酸类化合物为单胺羧酸，该单胺羧酸为只含一个氮原子及具有至少一个-COOH的化合物。

2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中该质子源为pKa小于6的酸。

3.如权利要求2所述的蚀刻液组合物，其中该质子源为醋酸、乙醇酸、苹果酸、乳酸、丁二酸、丙二酸、葡萄糖酸、硝酸、硫酸或磷酸。

4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中该有机碱化合物为具有至少一个氮原子与具有2至8个碳原子的链状化合物。

5.如权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中该有机碱化合物为三乙醇胺、异丙醇胺、二甘醇胺、异丁醇胺、丙二胺、二乙胺基丙胺或二甲胺基丙胺。

6.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中该单胺羧酸为次氮基三乙酸、天门冬氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、N,N-二羟基乙基甘氨酸、N-甲基亚氨基二乙酸、N-乙基亚氨基二乙酸或N-(2-羟乙基)亚氨基二乙酸(N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid，HIDA/EA)。

7.如权利要求1至6中任一项所述的蚀刻液组合物，其中基于该蚀刻液组合物为100重量百分比，该蚀刻液组合物包含：

5重量百分比至9重量百分比的该过氧化氢；

5重量百分比至20重量百分比的该质子源；

6重量百分比至20重量百分比的该有机碱化合物；以及

2重量百分比至10重量百分比的该氨基酸类化合物或其盐类。

8.如权利要求7所述的蚀刻液组合物，更包含：

30重量百分比至82重量百分比的水。

9.如权利要求1至6中任一项所述的蚀刻液组合物，其中该蚀刻液组合物的pH为3至6。

10.如权利要求1至6中任一项所述的蚀刻液组合物，其中基于该蚀刻液组合物为100重量百分比，该蚀刻液组合物包含：

5重量百分比至9重量百分比的该过氧化氢；

5重量百分比至20重量百分比的该质子源；

6重量百分比至13重量百分比的该有机碱化合物；以及

2重量百分比至10重量百分比的该氨基酸类化合物或其盐类。

11.一种蚀刻方法，包含：

使用如权利要求1至6中任一项所述的蚀刻液组合物蚀刻该含铜金属层。

12.一种蚀刻方法，包含：

使用如权利要求7所述的蚀刻液组合物蚀刻该含铜金属层。