[发明专利]一种复合基板结构及具有复合基板结构的触控面板

权利要求书

1.一种复合基板结构，其特征在于，包括：

一透明基板；

一类钻碳层，设置于所述透明基板上，其中所述类钻碳层的厚度小于等于15nm。

2.根据权利要求1所述之复合基板结构，其特征在于：所述类钻碳层的厚度小于等于10nm。

3.根据权利要求1所述之复合基板结构，其特征在于：所述类钻碳层的厚度介于2nm到5nm之间。

4.根据权利要求1所述之复合基板结构，其特征在于：所述类钻碳层的sp³键含量大于等于15％。

5.根据权利要求1所述之复合基板结构，其特征在于：更包括一疏水性层，所述疏水性层设置于所述类钻碳层相对所述透明基板的另一侧面上。

6.根据权利要求5所述之复合基板结构，其特征在于：所述疏水性层中疏水性原子含量百分比大于50％。

7.根据权利要求5所述之复合基板结构，其特征在于：所述疏水性层为结晶型，其中结晶率大于50％。

8.根据权利要求5所述之复合基板结构，其特征在于：所述疏水性层中碳氟键与硅氧键比例大于等于50:1。

9.根据权利要求6所述之复合基板结构，其特征在于：所述疏水性层相对于所述类钻碳层的另一侧具有一接触角，所述接触角大于110度。

10.根据权利要求6所述之复合基板结构，其特征在于：所述疏水性层的厚度介于5nm到30nm之间。

11.根据权利要求1或6所述之复合基板结构，其特征在于：更包括一附着层，所述附着层设置于所述透明基板与所述类钻碳层之间，其中所述附着层包括硅系材料。

12.根据权利要求11所述之复合基板结构，其特征在于：所述附着层为二氧化硅层。

13.根据权利要求11所述之复合基板结构，其特征在于：所述附着层的厚度介于5nm到10nm之间。

14.根据权利要求6所述之复合基板结构，其特征在于：更包括一中间层，所述中间层设置于所述类钻碳层与所述疏水性层之间。

15.根据权利要求14所述之复合基板结构，其特征在于：所述中间层为硅碳系材料，其中硅原子含量百分比介于10％到20％之间，碳原子含量百分比介于80％到90％之间。

16.根据权利要求1所述之复合基板结构，其特征在于：更包括一抗反射膜，所述抗反射膜设置于所述透明基板与所述类钻碳层之间。

17.根据权利要求16所述之复合基板结构，其特征在于：所述抗反射膜包含复数第一抗反射层和数量对等的复数第二抗反射层，且所述第一抗反射层与所述第二抗反射层系交错层叠。

18.根据权利要求17所述之复合基板结构，其特征在于：所述第二抗反射层的折射率小于所述第一抗反射层的折射率。

19.根据权利要求18所述之复合基板结构，其特征在于：所述第一抗反射膜的折射率大于1.6，所述第二抗反射膜的折射率小于1.55。

20.根据权利要求18所述之复合基板结构，其特征在于：所述抗反射膜是由其中一第一抗反射层邻接于所述透明基板，由其中一第二抗反射层邻接于所述类钻碳层。

21.根据权利要求18所述之复合基板结构，其特征在于：更包括一附着层，所述附着层设置于所述透明基板与所述抗反射膜之间，且所述抗反射膜是由其中一第一抗反射层邻接于所述附着层，由其中一第二抗反射层邻接于所述类钻碳层。

22.根据权利要求18所述之复合基板结构，其特征在于：更包括一疏水性层，所述疏水性层设置于所述类钻碳层相对所述透明基板的另一侧面上。

23.根据权利要求22所述之复合基板结构，其特征在于：更包括一中间层，所述中间层设置于所述类钻碳层与所述疏水性层之间。

24.根据权利要求18所述之复合基板结构，其特征在于：所述第一抗反射层的主要材质为氧化铌、氧化钛、氧化鋯,氧化鋁、氧化钽、氮氧化硅或氮化硅，所述第二抗反射层的主要材质为氧化硅或氟化镁。