[发明专利]SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用

权利要求书

1.SnS₂纳米片的制备方法，其特征是，所述制备方法是以油酸体系为基础，将锡源和不同的硫源直接加入油酸体系后，通过控制加入硫源的类型获得不同厚度二硫化锡纳米片的方法。

2.根据权利要求1所述的SnS₂纳米片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

将锡源、硫源和油酸的混合物，以连续缓慢的速度升温至200-250 ^oC，保温30分钟，停止加热，将产物自然冷却至室温，离心分离，取下部固体，清洗，在真空干燥箱中烘干，得到产品SnS₂纳米片；

所述锡源、硫源和油酸的混合物组成为，锡源0.1 mmol~0.3 mmol，硫源0.3 mmol~0.6 mmol，油酸8~15 mL。

3. 根据权利要求2所述的SnS₂纳米片的制备方法，其特征是，所述锡源为二氯化锡，所述硫源为硫粉。

4. 根据权利要求2所述的SnS₂纳米片的制备方法，其特征是，所述锡源为二氯化锡，所述硫源为半胱氨酸。

5. 根据权利要求2~4中任意一项所述的SnS₂纳米片的制备方法，其特征是，所述混合物以4~8 ^oC/分钟的速度升温至200~250 ^oC。

6. 根据权利要求2所述的SnS₂纳米片的制备方法，其特征是，将产物自然冷却至室温后，加入乙醇分散沉降，离心分离后，取下部固体，用正庚烷—乙醇（体积比3:1）清洗3~4次，在真空干燥箱中烘干，得到产品SnS₂纳米片。

7. 根据权利要求1~6中所述的制备方法获得的超薄SnS₂纳米片。

8. 权利要求7所述的超薄SnS₂纳米片在电化学储能领域的应用，特别是其在构建超级电容器中的应用。

9. 根据权利要求8所述的应用，其特征是，超薄SnS₂纳米片作为活性材料用于修饰泡沫镍，经修饰的泡沫镍作为超级电容器的工作电极。

10. 根据权利要求9所述的应用，其特征是，所述工作电极的制备方法如下：

（1）泡沫镍（长5 cm，宽1 cm的长条状）用蒸馏水超声15 分钟，再用丙酮或乙醇超声35 分钟，过夜烘干，称重；

（2）电极制备：称超薄SnS₂纳米片16 mg，乙炔黑5.7 mg，混合研磨30分钟，加2~3 mL异丙醇，再滴加3~4滴聚四氟乙烯，再次研磨10分钟，得到修饰混合物，用滴管向泡沫镍的一面上均匀涂抹1×1 cm²面积的修饰混合物，放入培养皿中，盖上表面皿，过夜烘干，烘干温度小于50 °C，得到经超薄SnS₂纳米片修饰的泡沫镍工作电极。