[发明专利]一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法在审
| 申请号： | 201410576896.8 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104407229A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李建成;徐顺强;李聪;尚靖;李文晓;吴建飞;曾祥华;郑黎明 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 场效应 晶体管 电容 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极(3)、漏极(4)、第二栅极(6)接地，在第一栅极(5)上加偏置和交流信号，测出第一栅极(5)对第一栅极(5)的电容Cg1_g1、第一栅极(5)对第二栅极(6)的电容Cg1_g2；
步骤2：将源极3、漏极4、第一栅极5接地，在第二栅极上加偏置和交流信号，测出第二栅极(6)对第二栅极(6)的电容Cg2_g2、第二栅极(6)对第一栅极(5)的电容Cg2_g1；
步骤3：根本步骤1和步骤2的测量结果，计算双栅极场效应晶体管结构的总的栅电容Cg，计算的公式如下：
Cg＝Cg1_g1+Cg1_g2+Cg2_g2+Cg2_g1。
2.如权利要求1所述的双栅极场效应晶体管电容的测试方法，其特征在于：所述步骤1和步骤2中所述交流信号是电压为0.1毫伏，频率为1兆赫兹信号。
3.如权利要求1所述的双栅极场效应晶体管电容的测试方法，其特征在于：所述步骤1和步骤2中所述偏置为电压从-1伏扫到1伏，步长为0.05伏。
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