[发明专利]一种沟槽功率器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410577188.6 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105590857A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 唐怡 | 申请（专利权）人： | 无锡蓝阳谐波科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 器件 制作方法 | ||
1.一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：
步骤110、提供一半导体衬底；
步骤120、在所述半导体衬底上形成外延层；
步骤130、在所述外延层内形成栅极沟槽；
步骤140、在所述栅极沟槽的内壁上沉积栅极材料，形成沟槽功率器件粗 坯；
步骤150、对所述沟槽功率器件粗坯进行热氧化工艺。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所 述热氧化工艺的温度为750℃-850℃。
3.根据权利要求2所述的一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所 述步骤150之后还包括：
步骤160、去除热氧化工艺中产生的氧化层。
4.根据权利要求3所述的一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所 述步骤160中采用湿刻的方法去除所述氧化层。
5.根据权利要求1所述的一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所 述步骤130中采用光刻和蚀刻工艺在所述外延层内形成栅极沟槽。
6.根据权利要求1所述的一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所 述栅极材料为多晶硅。
7.根据权利要求3所述的一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所 述步骤160之后还包括：
步骤170、在栅极沟槽两侧的外延层上进行离子注入，形成源区和漏区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
