[发明专利]一种提高MOS管击穿电压的结构在审
| 申请号： | 201410577720.4 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104362173A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李建成;尚靖;李聪;李文晓;王震;郑黎明;曾祥华;吴建飞 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mos 击穿 电压 结构 | ||
1.一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，包括具有P型掺杂的硅衬底，所述硅衬底上设置有阱区，所述阱区内设置有源区和漏区，所述源区与漏区之间形成沟道，所述阱区上设置有多晶，所述硅衬底与多晶之间形成氧化层；所述阱区内为P型掺杂，所述源区内为高浓度N型掺杂，所述漏区中远离所述沟道的一端为高浓度N型掺杂，所述漏区中靠近所述沟道的一端为低浓度N型掺杂，所述多晶内为N型掺杂。
2.根据权利要求1所述的一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，器件结构中硅衬底上掺杂浓度最低，阱区掺杂浓度高于硅衬底上掺杂浓度，漏区靠近多晶部分的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度，源区、漏区远离多晶的区域以及多晶上的掺杂浓度最高。
3.根据权利要求1所述的一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，所述漏区靠近多晶区域利用LDD轻掺杂注入，其掺杂浓度低于源区掺杂浓度；远离多晶区域利用源漏掺杂注入，其掺杂浓度与源区、多晶的掺杂浓度相同数量级。
4.根据权利要求1所述的一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，所述漏区靠近多晶区域为N型LDD轻掺杂注入或其他低浓度N型注入。
5.一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，包括具有P型掺杂的硅衬底，所述硅衬底上设置有阱区，所述阱区内设置有源区和漏区，所述源区与漏区之间形成沟道，所述阱区上设置有多晶，所述硅衬底与多晶之间形成氧化层；所述阱区内为N型掺杂，所述源区内为高浓度P型掺杂，所述漏区中远离所述沟道的一端为高浓度P型掺杂，所述漏区中靠近所述源区的一端为低浓度P型掺杂，所述多晶内为P型掺杂。
6.根据权利要求5所述的一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，器件结构中硅衬底上掺杂浓度最低，阱区掺杂浓度高于硅衬底上掺杂浓度，漏区靠近多晶部分的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度，源区、漏区远离多晶的区域以及多晶上的掺杂浓度最高。
7.根据权利要求5所述的一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，所述漏区靠近多晶区域利用LDD轻掺杂注入，其掺杂浓度低于源区掺杂浓度；远离多晶区域利用源漏掺杂注入，其掺杂浓度与源区、多晶的掺杂浓度相同数量级。
8.根据权利要求5所述的提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，所述漏区靠近多晶区域为P型LDD轻掺杂注入或P型HR层注入。
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