[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：

一半导体基材，具有一正面及一背面相对设置；

一硼背面场层，位于该背面下方的该半导体基材内；

一钝化层，位于该硼背面场层的上方，该钝化层具有一开口贯穿该钝化层；

一背面电极层，位于该开口内；以及

一铝局部背面场层，位于该开口下方的该半导体基材内，并接触该硼背面 场层及该背面电极层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该背面电极层还覆 盖该钝化层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该钝化层未被该背 面电极层完全覆盖。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该硼背面场层具有 一开口，该硼背面场层的该开口大致对准该钝化层的该开口。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该钝化层包含：

一第一钝化层，接触该硼背面场层，该第一钝化层包含氧化铝、氧化硅、 氮氧化硅或其组合；以及

一第二钝化层，位于该第一钝化层的上方，该第二钝化层包含氮化硅。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包含：

一第一掺杂层，位于该正面下方的该半导体基材内；

一第二掺杂层，位于该正面下方的该半导体基材内，并邻接该第一掺杂层， 该第一掺杂层及该第二掺杂层的导电型相同，且该第二掺杂层的掺质浓度大于 该第一掺杂层的掺质浓度；以及

一正面电极层，接触该第二掺杂层。

7.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：

提供一半导体基材，该半导体基材具有一正面及一背面相对设置；

形成一硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内；

形成一钝化层于该硼背面场层的上方；

形成一开口贯穿该钝化层；

设置铝胶于该开口内；以及

烧结该铝胶，以形成一铝局部背面场层于该开口下方的该半导体基材内。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该 硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内步骤是透过扩散或离子布植硼至 该背面下方的该半导体基材内。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该 硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内步骤包含：

形成一含硼钝化材料层于该半导体基材的该背面的上方，该含硼钝化材料 层包含硼及钝化材料；以及

扩散该含硼钝化材料层的该硼至该背面下方的该半导体基材内，以形成该 硼背面场层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，扩散该 含硼钝化材料层的该硼至该背面下方的该半导体基材内步骤与烧结该铝胶步 骤是同时进行。

11.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该 硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内步骤包含：

形成一硼来源层于该半导体基材的该背面的上方；

扩散该硼来源层的硼至该背面下方的该半导体基材内，以形成该硼背面场 层；以及

去除该硼来源层。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该硼 来源层包含硼胶、硼硅玻璃或其组合。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，还包 含扩散磷至该正面下方的该半导体基材内。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，扩散 该硼来源层的该硼至该背面下方的该半导体基材内步骤及扩散该磷至该正面 下方的该半导体基材内步骤是于同一次热处理程序中进行。