[发明专利]半导体器件的具有表面超级结结构的终端

权利要求书

1.一种半导体器件的具有表面超级结结构的终端，所述表面超级结结构由多个P型杂质区和N型杂质区交替排列构成，其特征在于，所述表面超级结结构位于器件芯片终端(1)表面，每个P型杂质区(2)、N型杂质区(3)从有源区边界(4)延伸到芯片边缘(5)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的具有表面超级结结构的终端，其特征在于，所述表面超级结结构的制作方式为光刻选择性扩散、刻槽掺杂以及刻槽外延三种方式之一。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的具有表面超级结结构的终端，其特征在于，所述表面超级结结构的每个P型杂质区(2)、N型杂质区(3)的杂质浓度、宽度及深度依据RESURF方法优化调整。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的具有表面超级结结构的终端，其特征在于，P型杂质区(2)与N型杂质区(3)的宽度相等或者不相等。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的具有表面超级结结构的终端，其特征在于，当P型杂质区(2)与N型杂质区(3)的宽度不相等时，P型杂质区(2)的宽度大于或者小于N型杂质区(3)的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的具有表面超级结结构的终端，其特征在于，P型杂质区(2)与N型杂质区(3)的深度相等或者不相等。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的具有表面超级结结构的终端，其特征在于，当P型杂质区(2)与N型杂质区(3)的深度不相等时，P型杂质区(2)的深度大于或者小于N型杂质区(3)的深度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的具有表面超级结结构的终端，其特征在于，在矩形芯片四角部位，所述表面超级结结构中的每个P型杂质区(2)、N型杂质区(3)从有源区边界(4)延伸到芯片边缘(5)的延伸形式为以下两种之一：

A、以矩形芯片几何中心为中心呈放射状延伸，从有源区边界(4)到芯片边缘(5)的距离为所述表面超级结结构的宽度，所述表面超级结结构位于矩形芯片四角部位的部分的宽度大于或者等于所述表面超级结结构位于矩形芯片四边部位的部分的宽度；

B、一个P型杂质区(2)沿矩形芯片对角线延伸，在该P型杂质区(2)两侧各有一组P型杂质区(2)分支，每组P型杂质区(2)分支的走向与该侧其他P型杂质区(2)走向平行。