[发明专利]III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体元件的制造方法，其具备：

在具有含有p型掺杂剂的III族氮化物半导体层的半导体区域上生长具有1×10²⁰cm^-3以下的氢浓度的低氢含量膜的工序，和

在生长所述低氢含量膜后对所述半导体区域进行活化退火，由所述III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层的工序，

所述低氢含量膜由与III族氮化物不同的材料构成，半极性面衬底的主面的法线轴与所述半极性面衬底的c轴所成的角度在波导轴的方向上处于45度以上且80度以下或100度以上且135度以下的角度范围，

所述低氢含量膜包含硅氧化物、锆氧化物、钛氧化物、钽氧化物中的至少任意一者。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，生长所述低氢含量膜的工序是在成膜装置中、在不使用包含氢的物质的情况下生长所述低氢含量膜。

3.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，所述活化退火的温度为摄氏600度以上。

4.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，所述低氢含量膜通过气相生长法形成。

5.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，所述低氢含量膜通过蒸镀法形成。

6.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，所述低氢含量膜通过电子束蒸镀法形成。

7.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，在形成所述p型III族氮化物半导体层后，还具备以使所述p型III族氮化物半导体层在所述半导体区域的表面露出的方式除去所述低氢含量膜的工序。

8.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，在形成所述p型III族氮化物半导体层的工序之后，具备对所述p型III族氮化物半导体层进行加工而形成脊形结构的工序，

所述脊形结构沿所述半极性面衬底的c轴与m轴或a轴所规定的基准面延伸。

9.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件的制造方法，其中，所述III族氮化物半导体层具备Mg掺杂GaN层、Mg掺杂AlN层、Mg掺杂InN层、Mg掺杂AlGaN层、Mg掺杂InGaN层、Mg掺杂InAlGaN层、Mg掺杂InAlN层中的至少任意一者。