[发明专利]OLED柔性显示器件在审
申请号: | 201410578898.0 | 申请日: | 2014-10-24 |
公开(公告)号: | CN105590944A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 祝文秀;黄添旺;何志江;翟保才 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201508 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 柔性 显示 器件 | ||
技术领域
本发明涉及OLED显示技术,尤其是指一种OLED柔性显示器件。
背景技术
现有的OLED柔性显示器件(FlexibleOLED),一般采用顶发射方式 (topemission),传统的顶发射方式OLED柔性显示器件的结构如图1所 示,从下至上依次包括:柔性基板91、阳极层92、空穴注入层(HIL) 93、空穴传输层(HTL)94、有机发光层(EML)95、电子传输层(ETL) 96、电子注入层(EIL)97、阴极层98以及覆盖层99。
其中,先在柔性基板91上蒸镀阳极层92,阳极层92采用ITO/Ag/ITO 薄膜,厚度为100nm~200nm;再在阳极层92上依次蒸镀有机层:空穴注 入层(HIL)93、空穴传输层(HTL)94、有机发光层(EML)95、电子 传输层(ETL)96以及电子注入层(EIL)97;再蒸镀阴极层98,阴极层 98采用Mg:Ag合金,厚度为15nm~25nm;最后再在阴极层98上制备一 层覆盖层99,覆盖层99通常采用有机材料。
为得到高纯色和高效率,一般是通过调节其微腔结构(即有机层HIL、 HTL、EML、ETL、EIL中的一层或几层),实现高纯色与高效率。然而, 传统的OLED柔性显示器件,普遍存在效率及寿命过低的问题,主要是 由于OLED柔性显示器件的封装方式为薄膜封装,在挠曲过程中,薄膜 封装可能会形成细小的通道,使水氧到达OLED柔性显示器件。又因为 覆盖层通常采用有机材料,其阻水氧能力很弱,而阴极层采用较为活泼的 Mg:Ag合金,接触水氧后极易发生反应导致器件失效。
发明内容
有鉴于上述现有技术中OLED柔性显示器件接触水氧后极易发生反 应导致器件失效问题,为了解决这一问题,本发明提供了一种OLED柔 性显示器件,包括:
柔性基板,所述柔性基板上依次制备有阴极层、有机发光单元、阳极 层以及覆盖层,所述覆盖层的材料为具有耐水氧性的无机材料TiO2或 SiC。
本发明的OLED柔性显示器件,通过将传统的OLED结构进行倒置, 将容易氧化的阴极层直接镀设在柔性基板上,再在阴极层上覆盖有机发光 单元、阳极层以及覆盖层,达到保护阴极层不受氧化的目的。另外,采用 具有耐水氧性的无机材料TiO2或SiC作为覆盖层的材料,可增强OLED 器件的阻水氧能力,有效提高OLED器件的寿命。并且,TiO2和SiC的 折射率较高,可进一步提高OLED器件的光纯度。
本发明OLED柔性显示器件的进一步改进在于,所述覆盖层的厚度 为50nm~80nm。综合覆盖层的折射率,将覆盖层的厚度设置在50nm~80nm 范围内,可进一步提高OLED器件的光纯度。
本发明OLED柔性显示器件的进一步改进在于,所述阳极层的材料 为Au、Pt或Ti。Au、Pt或Ti的稳定性好并且功函数高,较好的稳定性 可保护有机发光单元,较高的功函数可有效提高空穴的注入效率。
本发明OLED柔性显示器件的进一步改进在于,所述阳极层的厚度 为10nm~20nm。由此将阳极层设为半反半透层(反射率与透射率均为 50%),可提高OLED器件的微腔效应。
本发明OLED柔性显示器件的进一步改进在于,所述阴极层的材料 为Mg。Mg的功函数较低,可有效提高电子的注入效率。
本发明OLED柔性显示器件的进一步改进在于,所述阴极层的厚度 为100nm~200nm。综合阴极材料的折射率,将阴极层的厚度设为 100nm~200nm范围内,形成一个全反射阴极,可提高OLED器件的微腔 效应。
本发明OLED柔性显示器件的进一步改进在于,所述有机发光单元 包括电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层以及空穴注入层, 所述的电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层以及空穴注入 层依次制备于所述阴极层上。
本发明OLED柔性显示器件的进一步改进在于,所述空穴注入层包 括第三空穴注入层、第二空穴注入层以及第一空穴注入层,所述的第三空 穴注入层、第二空穴注入层以及第一空穴注入层依次制备于所述空穴传输 层上。不同的空穴注入层作用不同,第一空穴注入层的主要作用是增加注 入效率,第二空穴注入层及第三空穴注入层的主要作用为增强微腔效应。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的