[发明专利]厚膜基板无焊料共晶贴装方法

权利要求书

1. 一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，包括以下步骤：

1）基板加热：将基板加热到金－硅共晶体临界温度以上；

2）拾取芯片：由贴装设备上的芯片吸头夹持芯片边缘，通过真空吸附拾取芯片；

3）摩擦贴装：在基板的焊接区域上将芯片与基板进行摩擦，芯片的硅材料与基板的金熔合形成金－硅共晶体；

4）冷却：冷却后形成焊接界面，使芯片焊接至基板上。

2.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，所述芯片是硅材料，耐受最高450℃的温度，芯片背面具有金保护层，金保护层厚度0.1μm～0.3μm，保护层与硅材料之间无其它阻挡层。

3.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，基板的焊接区域上，由金导体浆料丝网印刷成膜，导体烧结膜厚5μm～12μm。

4.根据权利要求3所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，丝网印刷选用丝网的目数为300目～450目。

5.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，芯片的摩擦振幅设定为15μm～30μm，摩擦频率设定为2～5次/每秒，单只芯片摩擦焊接时间不超过20秒。

6.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，基板加热温度设定为380℃～420℃。

7.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，贴装设备采用喷氮气对摩擦贴装进行保护，氮气流量设定为60 l/h～80 l/h。

8.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，所述基板为氧化铝陶瓷基板或LTCC基板。

9.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，芯片吸头为与芯片形状相同的四边形，朝向芯片的吸嘴贯穿面上设置通孔，采用真空吸附芯片；吸嘴贯穿面四边连接2个或4个倾斜的侧壁，侧壁倾斜形成外大内小的喇叭口形。

10.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，倾斜的侧壁为2个时，2个侧壁相对设置。