[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，所述 制造方法包括：

提供一晶圆，包含多个半导体元件，其中所述多个半导体元件中 的一第一半导体元件具有一主动面与一背面，且所述主动面具有一主 动区与一外部区，所述主动区设有一第一电极及一第二电极，所述外 部区区分为一切割部与一通道部；

形成一图案化保护层于所述主动面上，所述图案化保护层具有多 个开口以暴露所述第一电极、所述第二电极以及所述通道部；

执行一薄化制作过程于所述背面；

形成一背电极层于所述背面；

执行一蚀刻制作过程，以在所述通道部形成一沟槽以暴露所述背 电极层；

通过所述沟槽形成一导电结构以连接所述背电极层；以及

沿所述切割部执行一切割步骤。

2.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其 特征在于，所述图案化保护层覆盖所述第一电极与所述第二电极的部 分边缘区域。

3.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其 特征在于，所述第一电极为栅极电极、所述第二电极为源极电极且所 述背电极层为漏极电极。

4.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其 特征在于，在形成所述导电结构以连接所述背电极层的步骤时，更包 括通过多个所述开口分别形成一第一焊垫连接所述第一电极以及一第 二焊垫连接所述第二电极。

5.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特 征在于，在所述通道部形成一沟槽以暴露所述背电极层步骤后，包括：

形成至少一金属障壁层，覆盖所述沟槽的内侧壁、所述图案化保 护层、所述第一电极与所述第二电极；

形成一光阻层于所述金属障壁层上，其中所述光阻层具有至少一 第一开口图案、一第二开口图案及一第三开口图案，分别对应定义所 述第一电极、所述第二电极以及所述通道部的位置；

形成一金属导电层于所述第一开口图案、所述第二开口图案与所 述第三开口图案中；以及

去除所述光阻层及所述光阻层覆盖的所述金属障壁层，以形成一 第一焊垫、一第二焊垫及该导电结构。

6.如权利要求5所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其 特征在于，所述导电结构包括位于所述主动面上的一接触垫与位于所 述沟槽中的一连接部。

7.如权利要求6所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其 特征在于，所述连接部为一墙体，所述墙体连接所述背电极层与所述 接触垫。

8.如权利要求5所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其 特征在于，所述金属导电层具有叠层结构。

9.如权利要求5所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其 特征在于，所述金属障壁层的材料为自由钛、铜、钨及其任意组合所 组成的群组或其中的一种。

10.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法， 其特征在于，在执行所述切割步骤后形成多个相互分离的封装结构， 且所述制造方法更包括：

提供一导线架，所述导线架包括多个晶粒座；

将已切割的所述每一封装结构以一导热胶材分别固设于多个所述 晶粒座上；以及

切割所述导线架，以将多个所述晶粒座由所述导线架上分离。

11.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法， 其特征在于，所述多个所述半导体元件中的一第二半导体元件与该第 一半导体元件相邻，且该通道部位于该第一半导体元件的主动区与该 第二半导体元件的主动区之间。

12.如权利要求11所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法， 其特征在于，所述背电极层延伸于所述第二半导体元件的背面。