[发明专利]一种低相噪高速频率合成系统在审
申请号: | 201410579565.X | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN104300977A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 冯晓东 | 申请(专利权)人: | 重庆会凌电子新技术有限公司 |
主分类号: | H03L7/18 | 分类号: | H03L7/18;H03L7/08 |
代理公司: | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 | 代理人: | 陈千 |
地址: | 401336*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低相噪 高速 频率 合成 系统 | ||
技术领域
本发明涉及到频率合成技术,具体地说,是一种低相噪高速频率合成系统。
背景技术
现有的频率合成技术主要有三种,分别为直接频率合成、锁相频率合成和直接数字频率合成(DDS)。直接频率合成方案复杂、合成器频率步进较大,杂散电平较难控制,但其相位噪声极佳、频率切换时间极短。锁相频率合成器相位噪声一般,频率步进也不能做的太小,但其方案相对简单,杂散电平较易控制,频率切换时间受环路带宽影响大。直接数字频率合成器可以产生很小的频率步进,相位噪声较好,其杂散电平在一定频带内可以接受,但合成频段较低,杂散电平存在一定的随机性,不易发现和消除,频率切换时间较长。可以看出,无论单独采用哪一种频率合成技术,对于小频率步进频率合成器来说,极低相位噪声和高速频率切换两项指标都很难兼容。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种先进的复合体制频率合成技术,使小步进频率合成器整体实现低杂散、低相位噪声和宽频段高速频率切换功能。
为达到上述目的,本发明表述一种低相噪高速频率合成系统,其关键在于:设置有参考源电路、DDS频率步进电路、小数分频锁相环电路和射频输出电路;
所述参考源电路包括用于产生参考信号的晶振单元,该晶振单元输出的参考信号经过第一低通滤波器后送入倍频器中,该倍频器的输出端经第一带通滤波器连接第一低噪放大器,该第一低噪放大器的输出端还连接有第二带通滤波器,所述第二带通滤波器输出DDS频率步进电路所需频率和功率的参考源信号;
所述DDS频率步进电路包括用于实现直接数字频率合成的DDS芯片,该DDS芯片接收所述参考源电路输出的参考源信号并输出小步进频率参考源,在该DDS芯片的输出端连接有变压器,变压器的输出信号依次经过第二低通滤波器、第二低噪放大器以及第一电阻衰减器后送入所述小数分频锁相环电路中;
所述小数分频锁相环电路包括鉴相器、环路滤波器、压控振荡器以及第二电阻衰减器,其中鉴相器接收所述DDS频率步进电路输出的小步进频率参考源信号,该鉴相器的一个输出端经环路滤波器控制所述压控振荡器,该压控振荡器输出的一路信号经所述第二电阻衰减器送入所述鉴相器的反馈端,从而形成闭环回路;该压控振荡器输出的另一路信号送入所述射频输出电路中;
所述射频输出电路包括第三低通滤波器、第三电阻衰减器和程控分频器,第三低通滤波器将所述小数分频锁相环电路输出的信号滤波后经第三电阻衰减器调整信号的功率,第三电阻衰减器输出的信号作为所述程控分频器的本振信号,通过该程控分频器输出所需的射频信号。
本方案合理采用了直接频率合成、锁相频率合成和直接数字频率合成的复合体制,此技术有效发挥了各种频率合成方式的优势,并将他们有效结合,最终形成该低相噪高速频率合成系统。
作为进一步描述,所述晶振单元输出40MHz的参考信号,所述倍频器型号为AMK-2-13+,该倍频器将40MHz的参考信号2倍频至80MHz并送入所述DDS频率步进电路中,所述小数分频锁相环电路输出的信号频率范围为1.5GHz~3GHz,所述射频输出电路输出的信号频率范围为375MHz~3GHz。
再进一步描述,所述DDS芯片采用型号为AD9854ASQ,变压器的型号为TC2-1T+,鉴相器的型号为ADF4153BRUZ,环路滤波器主要采用AD797ARZ,压控振荡器的型号为ROS-3200-419+,程控分频器采用HMC905LP3E。
为了减少各电路之间的干扰,所述第一低通滤波器与第二低通滤波器均采用π型滤波电路,在电感的两端分别经两路电容接地,所述第三低通滤波器采用LFCN-3800+集成芯片。
为了保证信号放大质量,所述第一低噪放大器与第二低噪放大器均采用型号为ABA-32563集成运放。
本发明的显著效果是:在宽频段输出条件,保证一定的杂散电平控制指标的前提下,同时实现了极低相位噪声和高速频率切换功能,同时,由于设计方案合理,调试简单,易于实现工程化生产。
附图说明
图1是本发明的电路原理框图;
图2是图1中晶振单元到倍频器之间的电路原理图;
图3是图1中第一带通滤波器到第二带通滤波器之间的电路原理图;
图4是图1中DDS芯片的管脚分布图;
图5是图1中变压器到第一电阻衰减器之间的电路原理图;
图6是小数分频锁相环电路的电路原理图;
图7是射频输出电路的电路原理图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆会凌电子新技术有限公司,未经重庆会凌电子新技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410579565.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学成像镜头及应用该光学成像镜头的电子装置
- 下一篇:一种防裂入室光缆