[发明专利]像素结构与其驱动方法有效
申请号: | 201410580053.5 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN104269139A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 林振祺 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 苏捷;向勇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 与其 驱动 方法 | ||
技术领域
本公开内容涉及一种像素结构,且特别涉及一种具有临界电压补偿的像素结构。
背景技术
一般而言,有机发光元件具有自发光性、广视角、高对比、低耗电、高反应速率等优点,因此其普遍地应用于平面显示器中。以主动式矩阵有机发光显示器(Active Matrix OLED,AMOLED)而言,在像素区域中通常包括有机发光元件以及薄膜晶体管(TFT),且有机发光元件是由薄膜晶体管及其操作时所产生的电流来驱动。
然而,由于在制作薄膜晶体管阵列时,经常会因工艺变异的影响,导致不同的薄膜晶体管彼此间的临界电压可能不尽相同,使得薄膜晶体管操作时所产生的驱动电流亦有所差异,进而造成各有机发光元件所发出的亮度可能无法一致,以致于显示器在显示影像时画面存有亮度不均匀(mura)的问题。
发明内容
本发明内容的一目的在于提供一种像素结构,藉以改善其显示影像时画面有亮度不均匀的问题。
本公开内容的一方面在于提供一种像素结构。像素结构包含发光二极管、晶体管、数据接收单元、补偿单元、第一开关单元、第二开关单元以及电容。晶体管包含控制端、第一端及第二端,其中晶体管的第二端电性耦接发光二极管,晶体管用以根据控制端及第一端之间的电位差驱动发光二极管。数据接收单元电性耦接于晶体管的控制端,用以根据第一扫描信号来提供像素数据信号至晶体管的控制端。补偿单元电性耦接于晶体管的控制端及数据接收单元,用来提供参考电压予晶体管的控制端。第一开关单元电性耦接于晶体管的第一端,用来接收电源电压,以及根据第二扫描信号决定提供电源电压至晶体管的第一端。第二开关单元电性耦接于晶体管的控制端及数据接收单元之间,用来根据第二扫描信号或第三扫描信号,决定传送像素数据信号至晶体管的控制端。电容电性耦接于晶体管的第一端及数据接收单元。其中,数据接收单元提供像素数据信号至电容及该补偿单元提供参考电压予晶体管的控制端同时进行。
本公开内容的另一方面在于提供一种驱动方法。驱动方法用来驱动像素结构,其中像素结构包含发光二极管、数据接收单元、晶体管及补偿单元,晶体管包含第一端、第二端及控制端,第二端电性耦接于发光二极管,数据接收单元电性耦接于晶体管的控制端,补偿单元电性耦接于晶体管的控制端及第二端。驱动方法包含下列步骤:通过补偿单元提供参考电压至晶体管的控制端;数据接收单元接收像素数据信号;通过补偿单元电性连接晶体管的控制端及第二端;提供像素数据信号至晶体管的控制端;以及根据晶体管的第一端及控制端的电位差,产生一驱动电流至发光二极管。
本公开内容的又一方面在于提供一种像素结构。像素结构包含发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管。第一晶体管的第二端电性耦接于发光二极管。第二晶体管的第一端用来接收像素数据信号,第二晶体管的第二端电性耦接于第一晶体管的控制端,且第二晶体管的控制端用来接收第一扫描信号,致使像素数据信号由第二晶体管的第一端传送至第二晶体管的第二端。第三晶体管的第一端电性耦接于第一晶体管的控制端,第三晶体管的第二端电性耦接于发光二极管与第一晶体管的第二端,且第三晶体管的控制端用来接收第一扫描信号,致使第三晶体管的第一端与第三晶体管的第二端导通。第四晶体管的第一端用来接收电源电压,第四晶体管的第二端电性耦接于第一晶体管的第一端,且第四晶体管的控制端用来接收第二扫描信号,致使电源电压提供至第一晶体管的第一端。第五晶体管的第一端电性耦接于第二晶体管的第二端,第五晶体管的第二端电性耦接于第一晶体管的控制端,且第五晶体管的控制端用来接收第二扫描信号或第三扫描信号,致使第五晶体管的第一端导通至第五晶体管的第二端。电容的第一端电性耦接于第一晶体管的第一端,且电容的第二端电性耦接于第二晶体管的第二端。
综上所述,本公开内容所公开的像素结构与驱动方法,可明显降低驱动电流的变异,进而使显示器在显示影像时可具有均匀的亮度。
附图说明
为让本公开内容的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,说明书附图的说明如下:
图1为根据本公开内容的一实施例所绘示的一种像素结构的示意图;
图2为根据本公开内容的一实施例所绘示图1中所示像素结构中各个扫描信号和像素数据信号的操作时序图;
图3A~3D为根据本公开内容的一实施例所绘示如图1所示的像素结构于不同期间的操作示意图;
图4为根据本公开内容的一实施例的驱动方法的流程图;
图5是绘示如图1所示的像素结构在晶体管具有不同临界电压的情形下驱动电流的变异比率的测量结果;
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