[发明专利]一种导电走线制作工艺在审
申请号: | 201410580185.8 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104317450A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 程芹;刘利 | 申请(专利权)人: | 程芹 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种导电走线的制作工艺,尤其是一种触摸屏的导电走线制作工艺。
背景技术
随着科学技术的发展,触摸屏已逐渐取代按键应用于手机、笔记本等个人数码产品,近年来,电磁炉冰箱等家用电器以及ATM机、自助服务终端机等生活设施也开始应用触摸屏进行操作,触摸屏已经渗透到人们生活的各个方面。
现有的触摸屏制作方法中,一种是采用ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)作为原材料,在利用溅射、蒸镀等工艺将ITO铺设于绝缘基材上,并在黄光工作室的条件下,通过干式刻蚀或者湿式刻蚀工艺形成导电走线。另一种为金属网格的制备,通常是通过印刷的方式,在绝缘基材上形成导电走线。还有一种方式是通过在绝缘基材上设置走线凹槽,在走线凹槽中填充导电材料,构成导电走线。
上述两种制备方式中,ITO为原材料的制备方法随让刻蚀技术相对成熟,但是阻抗高,影响电容屏的反应速度,在多指划线时会有延时产生,并且ITO的制作成本相对较高。而金属网格的制备过程中,金属网格的走线宽度受到限制,金属网格的走线宽度为5um时,能够在触摸屏表面看到走线,影响视觉效果,走线宽度达到2um时,光线发射大,会产生雾化效果,造成画面模糊,并且,通过印刷的方式的进行制备时,网格容易不均匀,合格率不足。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种制作成本低、走线宽度均匀且不受限制的导电走线制作工艺。
为了实现上述目的,本发明提供一种导电走线的制作工艺,其工艺步骤包括:
(1)铺设工艺,将绝缘基底放置于工作台面上,其四周具有遮挡,将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面,使其均匀分布;
(2)烧结工艺,根据预先设计的导电线路走线方式,使用高能光束聚光在需要烧结的位置,进行低温烧结;
(3)回收工艺,将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收至回收盘中。
进一步的,所述铺设工艺中,将所述绝缘基底放置于所述工作台面的凹槽内,并使用框形治具压住绝缘基底。或者将所述绝缘基底放置于所述工作台面上,使用框形治具压住绝缘基底的四周。
进一步的,所述铺设工艺中,通过振动,使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。或者通过治具刮擦操作,使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。
进一步的,所述铺设工艺中,将纳米导电材料颗粒置于所述绝缘基底的中心位置,通过水平转动所述绝缘基底,使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。
还提供了另一种导电走线的制作工艺,其工艺步骤包括:
(1)铺设工艺,将绝缘基底放置于工作台面上,所述绝缘基底具有根据预先设计的导电线路设置的沟槽,将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面的沟槽内;
(2)烧结工艺,根据预先设计的导电线路走线方式,使用高能光束聚光在需要烧结的位置,进行烧结;
这两种导电走线制作工艺中,所述烧结工艺,根据纳米导电材料颗粒的直径,设置调节烧结的温度和时间。
进一步的,所述烧结工艺中,所述单个高能光束工作或者多个高能光束共同工作。
与现有技术相比,本发明的导电走线制作工艺无需在黄光工作室进行,剩余的纳米导电材料颗粒可以进行回收,制作成本低,速度快。并且高能光束的工艺精度高,纳米导电材料颗粒材料均匀,走线宽度均匀,并能够完成各种图形和线宽的走线。
附图说明
图1是本发明一种导电走线制作工艺的流程图。
图2是本发明导电走线制作工艺的具体步骤。
图3是本发明另一种导电走线制作工艺的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
触摸屏包括绝缘基底和设置于绝缘基底上的导电走线,绝缘基底为曲面结构或者平面结构,并具有一定的透明度,采用玻璃、石英、金刚石等,主要起到绝缘和支撑的作用。需要说明的是上述材料的列举,只是举例说明,并不是限定绝缘基底的材料。导电走线采用纳米导电材料颗粒,可以是银、铜等,纳米导电材料颗粒的直径小于100纳米,所述纳米导电材料颗粒直径的大小关系到导电走线的线宽。通过将所述纳米导电材料颗粒在所述绝缘基底上形成图形,实现触摸检测的目的,因本发明主要介绍的是导电走线的制作工艺,因此对导电走线的图形未做具体介绍,可根据需要设置。需要说明的是上述材料的列举,只是举例说明,并不是限定绝缘基底和纳米导电材料颗粒的材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于程芹,未经程芹许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410580185.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。