[发明专利]一种铀基非晶合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410580538.4 申请日: 2014-10-27
公开(公告)号: CN104313374A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 陈亮;黄火根;刘天伟;赖新春;王英敏;张鹏国 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院材料研究所
主分类号: C22C1/03 分类号: C22C1/03;C22C45/00
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 沈强
地址: 621700 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 铀基非晶 合金 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及材料领域,尤其是非晶材料制备领域,具体为一种铀基非晶合金的制备方法。

背景技术

铀基非晶合金是一类特殊的非晶材料,具有优异的抗腐蚀性能,因而有望在军事领域中得到重要应用。

由于铀元素具有放射性和化学毒性,且非晶合金的制备通常需要极快的冷却速率,因而关于铀基非晶合金制备的报道较少。自Bleiberg等1958年在期刊《Transactions of the American Institute of Mining and Metallurgical Engineers》第212卷中,报道获得U3Si非晶合金以来,铀基非晶合金的制备方法发展缓慢。

目前,铀基非晶合金的制备方法仅有如下三种。第一种为辐照方法,然而该方法效率较低、需要强放射源、危险性较高,且它获得的非晶材料内部含有大量缺陷。第二种方法为物理气相沉积技术,该方法仅能用于制备非晶薄膜材料,且不利于精确控制合金成分,因而应用范围有限。第三种方法为甩带方法,它能够获得数十微米厚的带状样品或丝状样品,工艺相对简单,适宜的合金体系较多。从应用前景看,甩带方法对于摸索和开发新型铀基非晶合金非常有利,且其能够提供丝状、条带状甚至更大尺度的样品,其实用性高于前两种。

然而,铀基非晶合金至今都是国外报道的,从现有的文献与专利中,无法查到制备这种合金的具体工艺过程,其原因可能是由于铀及其合金属于军事与能源领域的敏感材料。因此,目前没有铀基非晶合金制备方法的相关报道。

另外,尽管关于常规非晶合金的甩带制备方法与技术已有较多的专利报道,但与常规金属相比,铀具有高密度、夹杂严重、易氧化的缺点,因而无法简单复制常规非晶合金的甩带工艺,来制备铀基非晶合金材料。

为了克服国外对铀基非晶合金材料制备方法的封锁,促进和推动铀基非晶合金研究,迫切需要建立一套铀基非晶合金的制备方法。

发明内容

本发明的发明目的在于:针对目前没有关于铀基非晶合金制备方法的公开报道的现状,以及由于铀料具有高密度、夹杂严重、易氧化的缺点,而无法直接采用常规非晶合金的甩带工艺制备铀基非晶合金的问题,提供一种铀基非晶合金的制备方法。本发明的方法主要包括合金原料配置工艺、铀合金母锭熔炼工艺、非晶合金甩带工艺,该方法有效解决了由于铀料密度高、夹杂严重、易氧化等缺点所导致的铀基非晶合金难以制备的问题。通过实验验证,本发明成功合成了铀基非晶合金。通过本发明能够开发新型铀基非晶合金,丰富非晶合金材料种类,所制备的非晶材料具备优良的抗腐蚀性能,具有重要的应用前景。

为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种铀基非晶合金的制备方法,包括如下步骤:

(1)合金原料配置

根据铀基非晶合金配方,采用纯度不低于99.5%的铀原料和纯度不低于99.9%的其它合金原料进行成分配置,得配置合金料;

(2)铀合金母锭熔炼

取步骤1的配置合金料,采用非自耗电弧熔炼方法熔炼配置合金料,得铀合金母锭;

(3)铀合金急冷甩带

采用急冷甩带法对步骤2制备的铀合金母锭进行甩带,得铀基非晶合金。

所述步骤2中,铀合金母锭熔炼的步骤如下:

(a)取步骤1的配置合金料,放入电弧熔炼炉的水冷铜坩埚内;

(b)待配置合金料放入水冷铜坩埚后,对电弧熔炼炉抽真空,使真空度高于1E-2Pa;

(c)待步骤b完成后,充入0.4~1.0个大气压的高纯氩气,然后进行电弧熔炼,熔炼电流为200~500A,熔炼时间2min以上,得初始合金锭;

(d)将初始合金锭翻转放入电弧熔炼炉的水冷铜坩埚内;

(e)重复步骤(b)至(d),熔炼合金3次以上,得铀合金母锭。

所述步骤3中,铀合金急冷甩带的步骤如下:

(h)将步骤2制备的铀合金母锭装入甩带炉内的石英管中,所述石英管的底部开有直径0.3~2mm的圆孔,石英管距离其下端的铜辊之间的间距为1~2mm;

(i)待步骤h完成后,对甩带炉抽真空,使得真空度高于1E-2Pa,然后向甩带炉内充入0.4~0.8个大气压的高纯氩气进行保护;

(j)采用压力为0.2~0.4MPa的冷却水冷却铜辊,转动铜辊,线速度为30~100m/s;

(k)用电磁感应熔炼方法熔炼铀合金母锭,感应电流为15A~20A,熔炼时间为30~200s;

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