[发明专利]动态随机存取存储器与选择性地执行刷新操作的方法

说明书

本发明公开了一种动态随机存取存储器与选择性地执行刷新操作的方法。所述动态随机存取存储器包括二进制计数器，所述二进制计数器用以接收外部命令来执行刷新操作，以及在每次接收到外部命令的时候，增加计数值。其中所述刷新操作会根据所述二进制计数器的计数值而被选择性地略过。当温度传感器判断所述动态随机存取存储器的温度运作状况低于第一临界值时，所述二进制计数器被启动为第一模式；以及当所述温度传感器判断所述动态随机存取存储器的温度运作状况低于第二临界值时，所述二进制计数器被启动为第二模式，其中所述第二临界值低于所述第一临界值。

技术领域

本发明涉及一种动态随机存储器，尤其涉及一种动态随机存取存储器以及可用于该动态随机存取存储器的选择性执行刷新操作的方法。

背景技术

第四代双倍速率动态随机存取存储器(double data rate fourth generationdynamic random access memory，DDR4DRAM，以下简称DDR4)是下一代的存储器技术，有比第三代双倍资料传输率动态随机存取存储器(DDR3)更快的运作速度，以及较低的耗能等特色。存储器的标准操作电压由DDR3的1.5V降至DDR4的1.2V。因此，DDR4更适合运用在对于能源效率要求较高的装置，像是移动装置与便携式装置等。

DDR4的一个特色在于温控刷新(Temperature Controlled Refresh)功能，这个功能可有效地降低耗能。一般来说，外部的刷新命令通常在每7.8微秒被传送至存储器，让动态随机存取存储器在每7.8微秒被刷新。然而，在较低的工作温度下，事实上动态随机存取存储器可以将资料保存更久。通过DDR4内建的温度传感器对工作温度进行监控，可在较低的工作温度下，略过外部的刷新命令。并且，这个功能可以在温度升高至正常工作温度时被关闭，大约最多可减少20％的功耗。

现今的DDR4动态随机存取存储器的规范中，定义了一个正常模式(normal mode)以及一个扩展温度模式(extended temperature mode)。在正常模式中，存储器每7.8微秒会收到外部的刷新命令，而在扩展温度模式中，存储器则是每3.9微秒会收到外部的刷新命令。模式是依据模式寄存器设定(mode register set,MRS)命令而被选择。DDR4的规范提供了三种温度范围，分别为：低于45℃、45℃至低于85℃、以及85℃至低于95℃。如果动态随机存取存储器运行在85℃或以上，动态随机存取存储器必须被编程为扩展温度模式。并且，动态随机存取存储器的控制器必须依据扩展温度模式的定义，每3.9微秒提供刷新命令。通过温控刷新功能，可略过某些刷新命令来降低耗能，并且确保数据完整地被保存。温控刷新功能是通过所述的模式寄存器设定命令而被启动之后，动态随机存取存储器会管理这项功能，使其适用于正常模式或者是扩展温度模式。在某些模式以及温度范围中，半数的外部刷新命令可能被略过。不过，在某些情形下，通过调整外部刷新命令与内部刷新操作之间的比例，可能可以更进一步降低功耗。

发明内容

本发明的实施例公开一种动态随机存取存储器，包含二进制计数器，所述二进制计数器用以接收外部命令来执行刷新操作，以及在每次接收到外部命令时增加计数值，其中所述刷新操作会根据所述二进制计数器的计数值而被选择性地略过。

本发明的实施例公开一种选择性地执行刷新操作的方法，用以选择性地执行动态随机存取存储器中的刷新操作，所述方法包括以下步骤：提供二进制计数器；接收外部命令来执行刷新操作；在每次接收到外部命令的时候，增加所述二进制计数器的计数值；以及根据所述二进制计数器之计数值，选择性地略过刷新操作。

由上可知，本发明公开了一种动态随机存取存储器的自动刷新功能，可将外部刷新命令与内部刷新操作之间的比例编程，从而获得更细微的设定，增进温控刷新功能的调整精细度。

附图说明

图1是本发明实施例的两位的二进制计数器的基本操作示意图。