[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法，包含上述阵列基板的显示面板，以及包含上述显示面板的显示装置。

背景技术

高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，以下简称为ADS)模式的显示装置通过设置在同一平面内的狭缝电极边缘产生的电场，以及狭缝电极层与板状电极层之间形成的多维电场，使液晶层中位于狭缝电极之间、狭缝电极正上方的所有液晶分子都能够产生旋转，提高了光线穿过液晶层的透过率，并获得较宽的视角。

图1为现有的一种ADS显示装置中阵列基板的示意图，在图1中，为清楚标示贯穿刻蚀阻挡层的过孔，未显示位于刻蚀阻挡层上方的结构，或者未显示位于刻蚀阻挡层上方的结构的位于上述过孔上方的部分；图2为图1所示阵列基板中薄膜晶体管的剖面示意图。如图1和图2所示，阵列基板1包括基板10以及形成在基板10上(可以与基板10的表面直接接触或不接触)的薄膜晶体管(TFT)11、公共电极12、像素电极13、用于向薄膜晶体管11的栅极提供电压信号的栅极线14、用于向薄膜晶体管11的源极提供电压信号的数据线15和用于向公共电极12提供电压信号的公共电极线16。其中，像素电极13位于公共电极12的上方(即公共电极12位于像素电极13和基板10之间)，公共电极12为板状电极，像素电极13为狭缝电极；薄膜晶体管11包括在基板10上依次形成的栅极110、栅极绝缘层111、有源层112、刻蚀阻挡层(ESL)113、源极114和漏极115、钝化层116；具体地，在刻蚀阻挡层113的与有源层112对应的位置处分别形成有贯穿刻蚀阻挡层113的源极孔1130和漏极孔1131，并且，如图1所示，每个薄膜晶体管11内源极孔1130的数量可以为两个，该源极孔1130和漏极孔1131一般称之为ESL孔(ESL hole)，源极114和漏极115通过分别在源极孔1130和漏极孔1131沉积源漏极金属(SD金属)形成。公共电极12和公共电极线16形成在基板10的表面；公共电极线16和公共电极12上方的位置处形成有贯穿刻蚀阻挡层113和栅极绝缘层111的连接孔1133(Matrix hole)，通过在位于公共电极线16上方的连接孔1133和位于公共电极12上方的连接孔1133之间的刻蚀阻挡层113的表面上沉积导电物(一般为SD金属)，形成导线，将每个公共电极12与公共电极线16，以及将多个公共电极12连接。具体地，制备有源层112的材料可以为铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，以下简称为IGZO)。

在制备上述阵列基板1时，基板10会不断地被摩擦、移动、吸附、加压、分离、加热、冷却，使基板10上产生静电，即，在其表面上积聚大量的静电荷，在一定情况下，该静电会大量释放，造成阵列基板1上某些结构的损坏。例如，在通过曝光、显影制备刻蚀阻挡层113(即ESL mask)的过程中，会产生静电释放，在对刻蚀阻挡层113进行刻蚀获得ESL孔和连接孔1133的过程中，静电释放的强度会进一步增大，从而可能会造成ESL孔和连接孔1133异常；进一步地，栅极110/栅极线14与有源层112之间产生的静电在多个ESL孔处释放，连接公共电极12和公共电极线16的导线和公共电极12、公共电极线16之间产生的静电在连接孔1133处释放，由于在多个ESL孔和连接孔1133之间释放的静电的来源不同，多个ESL孔处和连接孔1133处静电释放的强度会存在较大的差别，从而在连接孔1133和距离连接孔1133最近的ESL孔之间会存在较大的电压差，在此情况下，其二者实际形成了一个电容，而该较大的电压差会使其二者更容易被击穿，从而造成距离连接孔1133最近的ESL孔异常，如图3所示，在后续的制备过程中，在向该ESL孔内沉积SD金属时，SD金属会沉积在栅极上，也就是，源极/漏极与栅极之间短路，这样会造成ADS显示装置上出现一般为呈水平、竖直或十字状的亮线或渐变亮线，从而影响产品质量，并降低产品的良率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，所述阵列基板可以避免源极孔和漏极孔被静电击穿，从而可以避免栅极与源极、漏极之间短路，以及由此而引起的不良。