[发明专利]一种纳米稀土成核剂改性的高阻隔薄膜有效

专利信息
申请号: 201410582991.9 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN104354411A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 林凤龙;赵黎 申请(专利权)人: 厦门长塑实业有限公司
主分类号: B32B27/06 分类号: B32B27/06;B32B27/18;B32B27/34;C08L77/02;C08L77/06;C08L51/08;C08K3/22;C08K5/098
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 稀土 成核 改性 阻隔 薄膜
【说明书】:

技术领域

发明属于双向拉伸薄膜领域,具体涉及阻隔性薄膜领域。

背景技术

MXD6是一种具有优异阻隔性能的芳香族聚酰胺树脂,阻隔性能受环境湿度影响较小,蒸煮处理后恢复快。双向拉伸尼龙薄膜是目前市面上通用的包装材料,其力学强度高,印刷性能优异,被称为包装材料领域的“皇后”,为中等阻隔材料。随着人们对包装要求的不断提高,不断减少防腐剂等的添加,对薄膜阻隔性能的要求越来越高。通过MXD6改性PA6,进而进行双向拉伸得到高阻隔的尼龙薄膜产品已有报道。但现有通过MXD6改性PA6的产品性能存在许多问题,如强度不高,脆性较大,雾度高。

发明内容

本发明通过大量研究发现MXD6与PA6的结晶速度差异较大,MXD6在150-170℃时具有最快的结晶速度,而PA6结晶速度最快的温度在80℃左右,且两者半结晶速度相差较大。因此,在现有的生产工艺条件下,采用MXD6改性PA6得到的高阻隔尼龙薄膜中,MXD6相通常以大球晶形态存在,而PA6相结晶比较细致,由此造成产品强度不高,脆性较大,雾度高等问题。

为此,本发明提出一种解决上述问题的技术方案:采用纳米稀土成核剂进行改性,改善MXD6与PA6的结晶行为,促使薄膜中两种材料的晶体更为细致且均匀;同时在MXD6与PA6的混合体系中加入特定的相容剂,提高两相的相容性,进而获得具有优异阻隔性能,力学强度高,透明性良好的薄膜。

一种纳米稀土成核剂改性的高阻隔薄膜,所述薄膜包括表层1、芯层、表层2,其特征是:表层1中MXD6的含量为10~30%,PA6的含量为63~84.9%,防粘母料的含量为2~4%,相容剂的含量为3~8%,纳米稀土成核剂的含量为0.1~5%;芯层中MXD6的含量为95~99.9%,纳米稀土成核剂的含量为0.1~5%;在表层2中MXD6的含量为10~30%,PA6的含量为63~84.9%,防粘母料的含量为2~4%,相容剂的含量为3~8%,纳米稀土成核剂的含量为0.1~5%。

优选地,表层1、芯层和表层2中所述的纳米稀土成核剂的含量为0.5~4%;更优选地,表层1、芯层和表层2所述的纳米稀土成核剂的含量为1~3%;最优选地,表层1、芯层和表层2所述的纳米稀土成核剂的含量为2%。

在一个实施方案中,表层1、芯层和表层2所述的纳米稀土成核剂是氧化铈、氧化镧、氧化铷、硬脂酸铈、硬脂酸镧、硬脂酸铷中的一种或几种混合物。

所述的纳米稀土成核剂,其粒径为10~500nm,优选90-400nm,更优选150-250nm,比表面积为10~100m2/g,松装比重为0.5~2.0g/cm3

在一些实施方案中,表层1、芯层和表层2所述相容剂的含量相同,所述的相容剂为马来酸酐接枝MXD6;优选地,相容剂的含量为4~6%;最优选地,相容剂的含量为5.5%。

在一个实施方案中,所述的稀土成核剂改性的高阻隔薄膜,其特征在于:在表层1中MXD6的含量为30%,PA6的含量为64.5%,防粘母料的含量为2%,相容剂的含量为3%,纳米稀土成核剂的含量为0.5%;芯层中MXD6的含量为99.5%,纳米稀土成核剂的含量为0.5%;在表层2中MXD6的含量为30%,PA6的含量为64.5%,防粘母料的含量为2%,相容剂的含量为3%,纳米稀土成核剂的含量为0.5%。

在一个实施方案中,所述的稀土成核剂改性的高阻隔薄膜,其特征在于:在表层1中MXD6的含量为30%,PA6的含量55%,防粘母料的含量为2%,相容剂的含量为8%,纳米稀土成核剂的含量为5%;芯层中MXD6的含量为95%,纳米稀土成核剂的含量为5%;在表层2中MXD6的含量为30%,PA6的含量为55%,防粘母料的含量为2%,相容剂的含量为8%,纳米稀土成核剂的含量为5%。

在一个实施方案中,所述的稀土成核剂改性的高阻隔薄膜,其特征在于:在表层1中MXD6的含量为30%,PA6的含量60.5%,防粘母料的含量为2%,相容剂的含量为5.5%,纳米稀土成核剂的含量为2%;芯层中MXD6的含量为98%,纳米稀土成核剂的含量为2%;在表层2中MXD6的含量为30%,PA6的含量为60.5%,防粘母料的含量为2%,相容剂的含量为5.5%,纳米稀土成核剂的含量为2%。

所述的纳米稀土成核剂改性的高阻隔薄膜的制备方法与BOPA薄膜的生产工艺相同,按预定的质量百分比进行投料,完成熔融挤出、铸片、拉伸工序,最后得到高阻隔薄膜,其中拉伸工艺可以选用分步法拉伸工艺,机械同步拉伸工艺或者磁线性电机驱动拉伸工艺。

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