[发明专利]基板断线修复方法和装置在审
申请号: | 201410583351.X | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104409320A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 张祥 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 断线 修复 方法 装置 | ||
1.一种基板断线修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
将还原剂与银氨溶液混合,得到混合液A;
将所述混合液A涂覆在基板的断线位置,完成基板的断线修复。
2.根据权利要求1所述的基板断线方法,其特征在于,在所述将还原剂与银氨溶液混合,得到混合液A的步骤中,还包括控制所述还原剂和所述银氨溶液流量的步骤。
3.根据权利要求1所述的基板断线方法,其特征在于,在所述完成基板的断线修复的步骤后,还有将剩余的所述银氨溶液回收的步骤。
4.根据权利要求3所述的基板断线方法,其特征在于,所述将剩余的所述银氨溶液回收的步骤包括:
采用纯净水对盛放所述银氨溶液的容器进行清洗,回收得到清洗液;
向所述清洗液中加入盐酸溶液,生成氯化银固体,回收剩余的所述银氨溶液。
5.根据权利要求1-4任一项所述的基板断线方法,其特征在于,所述银氨溶液的制作方法为:
将硝酸银溶液和氨水混合,得到所述银氨溶液。
6.一种基板断线修复装置,其特征在于,
包括银氨溶液存储单元、还原剂存储单元和修复单元;
所述还原剂存储单元与所述修复单元通过管道连接,所述银氨溶液存储单元与所述修复单元通过管道连接;
所述修复单元设有涂覆口。
7.根据权利要求6所述的基板断线修复装置,其特征在于,还包括控制单元,所述控制单元分别与所述还原剂存储单元、银氨溶液存储单元和修复单元连接。
8.根据权利要求6所述的基板断线修复装置,其特征在于,还包括回收单元,所述回收单元与所述修复单元通过管道连接。
9.根据权利要求8所述的基板断线修复装置,其特征在于,所述回收单元包括第一清洗室、第二清洗室和回收箱,所述第一清洗室与所述银氨溶液存储单元通过管道连接,所述回收箱与所述银氨溶液存储单元通过管道连接,所述第二清洗室与所述回收箱连接。
10.根据权利要求6-9任一项所述的基板断线修复装置,其特征在于,所述银氨溶液存储单元包括第一原料室、第二原料室和反应室,所述第一原料室与所述反应室通过管道连接,所述第二原料室与所述反应室通过管道连接,所述反应室与所述修复单元通过管道连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造