[发明专利]有机发光二极管电路有效
申请号: | 201410584503.8 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104269140B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 叶佳元;黄冠儒;洪森全;林钰凯 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管电路,特别是涉及一种使用薄膜晶体管制造工艺的有机发光二极管电路。
背景技术
有机发光二极管具有体积小、发光效率高并可应用于可挠面板等优点,因此可以被应用在显示装置中作为背光元件或是像素。其中将有机发光二极管作为显示装置的像素时,通常是应用所谓的“薄膜晶体管”制造工艺(thin-film transistor,TFT)。相较于一般制造工艺中的晶体管开关的门槛电压,薄膜晶体管制造工艺中的晶体管开关的门槛电压(threshold voltage,Vth)的个别差异较大。此外,薄膜晶体管制造工艺中的晶体管开关的门槛电压也会随着晶体管开关被使用的时间而变。即使两个薄膜晶体管开关在刚出厂时具有相同的门槛电压,两个薄膜晶体管开关的门槛电压随着使用时间而变异的程度也不同,最终造成两个薄膜晶体管开关具有不同的门槛电压。而这样的特性会带来画面亮度不均,其理由简述如下。
请参照图1A与图1B,其中图1A是一般的有机发光二极管电路,而图1B是图1A的电路中各信号的时序图。如图1A所示的有机发光二极管驱动电路100一般称为“2T1C电路”(two-transistor-one-capacitor circuit;两个晶体管和一个电容器电路),其中包括了晶体管101、晶体管103、电容105与有机发光二极管。其中有机发光二极管的负端连接至第一驱动电压端VSS。晶体管101的一端连接于第二驱动电压端VDD,而晶体管101的另一端连接于有机发光二极管的正端。晶体管103的一端连接于数据电压端DATA,晶体管103的另一端连接于晶体管101的控制端,晶体管103的控制端连接至扫描电压端SCAN。而在晶体管101的控制端与第二驱动电压端VDD之间还接有电容105。如图所示,图1A中以P型薄膜晶体管制造工艺举例。
如图1B所示,一开始扫描电压端SCAN所收到的扫描电压VSCAN的电压位准为高电压VH,而后于第一时间点T1,扫描电压VSCAN的电压位准转变为低电压VL,因此晶体管103被导通,使得晶体管101的控制端的电压位准V101等于数据电压VDATA的电压位准。而后于第二时间点T2,扫描电压VSCAN的电压位准转变为高电压VH,因此晶体管103形成断路,由于电容105可以储存电荷,所以于第二时间点T2后的一段时间内,电压位准V101可以维持不变,因此流过晶体管101的电流I101可以由第二驱动电压端VDD的电压位准VDD、电压位准V101与晶体管101的门槛电压VTH1来决定。晶体管101的电压-电流的关系可以描述如下列方程式(1):
I101=K101×(VDD-V101-|VTH1|)2(1)
其中K101是关于晶体管101的特性系数,其与制造工艺以及晶体管101的尺寸相关。由上述方程式(1)以及图1A可以看出,即使给定相同的电压位准V101(也就是数据电压VDATA),驱动有机发光二极管发光的电流I101会随着晶体管101的门槛电压VTH1而变。
因为显示装置中相邻或相近的两个像素中的有机发光二极管电路中的晶体管101的门槛电压VTH1可能会不同,所以即使在一个帧中,因为两个像素所要显示的颜色相同,当显示装置的驱动芯片对两个像素给予同样的数据电压VDATA时,两个像素所显示的颜色仍然可能不同。举例来说,可能左侧的像素中的红色光强度大于右侧的像素中的红色光强度。此外,当显示装置被使用一段时间后,显示装置所显示的画面的色彩也会因为有机发光二极管中的晶体管的门槛电压变异而改变。如何解决门槛电压的变异造成的非理想效应,是一个亟待克服的问题。
发明内容
有鉴于以上的问题,本发明提出一种有机发光二极管电路,借由补偿电路,使得用来驱动有机发光二极管的电流与电路中晶体管的门槛电压无关,借此可以避免晶体管的门槛电压变异造成的非理想效应。
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