[发明专利]一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法在审
申请号: | 201410584703.3 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104319318A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 张勇辉;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 折射率 材料 led 图形 衬底 制备 方法 | ||
1.一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法,包含以下步骤:
步骤1:在图形衬底上沉积低折射率材料;
步骤2:在低折射率材料表面旋涂第一光刻胶;
步骤3:利用光刻技术,对没有图形的地方进行光刻,而使图形衬底上的图形被光刻胶保护;
步骤4:利用光刻胶做为掩摸,干法刻蚀掉无掩摸保护处的低折射率材料;
步骤5:湿法去除光刻胶并清洗,完成图形衬底的制备。
2.如权利要求1所述的制备方法,其中,所述图形衬底为蓝宝石图形衬底、碳化硅图形衬底、氮化镓图形衬底或氮化铝图形衬底。
3.如权利要求1所述的制备方法,其中,所述图形衬底上的图形为凸出图形或凹坑图形。
4.如权利要求3所述的制备方法,其中,所述凸出图形包括圆锥或圆柱,所述凹坑图形包括圆洞或倒圆锥。
5.如权利要求1所述的制备方法,其中,所述低折射率材料为折射率在1-2.4之间的材料。
6.如权利要求5所述的制备方法,其中,所述低折射率材料包括氧化硅和氮化硅。
7.如权利要求1所述的制备方法,其中,步骤1中沉积的低折射率材料的的厚度为10-1000nm。
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