[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。

背景技术

在平面显示，例如，液晶显示器(LCD)、有机电致发光显示器(OLED)或者无机电致发光显示器中，薄膜晶体管一般用做开关元件来控制像素电极的作业，或是用作驱动元件来驱动像素。薄膜晶体管除了非晶硅(a-Si)与多晶硅(poly-Si)等硅膜半导体以外，还有氧化物半导体，而且氧化物半导体愈来愈受到关注。所述氧化物半导体凭借工艺简单、薄膜特性稳定等优点，已逐渐取代硅膜半导体成为薄膜晶体管研发的主流技术。

在现有氧化物半导体的结构中，沟道刻蚀保护型结构是应用的重点。图1为现有技术中薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示，所述薄膜晶体管包括基板101、依次在所述基板101上制备的栅极102、栅绝缘层103、有源层104、刻蚀阻挡层105、源极106、漏极107、钝化层108和像素电极109，所述像素电极109通过过孔203与所述漏极107连接。所述薄膜晶体管的原理为：在有源层104之上覆盖一层刻蚀保护层105，目的是在进行源漏极刻蚀时所述刻蚀保护层105保护有源层104不受破坏。在这种结构中，刻蚀保护层105的图形化需要额外的一道掩膜板工艺制备，从而增加了工艺时间。

为了缩短工艺时间，提高生产效率，无刻蚀保护层的背沟道刻蚀结构成为氧化物半导体的研发热点，而这种无刻蚀保护层的背沟道刻蚀结构对源漏极金属刻蚀液的刻蚀选择性要求特别高，从而大大的增加了无刻蚀保护层的背沟道刻蚀结构的开发难度。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，用于解决现有技术中无刻蚀保护层的背沟道刻蚀结构的开发难度大的问题。

为此，本发明提供一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极、漏极、第一修饰层和第二修饰层，所述第一修饰层位于所述源极和所述有源层之间，所述第二修饰层位于所述漏极和所述有源层之间。

可选的，所述第一修饰层的材料包括导电材料或半导体材料，所述第二修饰层的材料包括导电材料或半导体材料。

可选的，所述导电材料包括石墨烯或碳纳米管，所述半导体材料包括非晶硅或多晶硅。

可选的，所述有源层的材料包括氧化物半导体材料。

本发明还提供一种阵列基板，包括上述任一所述的薄膜晶体管。

本发明还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：形成栅极、有源层、源极、漏极、第一修饰层和第二修饰层，所述第一修饰层位于所述源极和所述有源层之间，所述第二修饰层位于所述漏极和所述有源层之间。

可选的，所述形成栅极、有源层、源极、漏极、第一修饰层和第二修饰层的步骤包括：形成有源层薄膜和修饰层薄膜；通过一次构图工艺形成有源层和初始修饰层；在所述初始修饰层上形成源漏金属薄膜；通过一次构图工艺形成源极、漏极、第一修饰层和第二修饰层。

可选的，所述通过一次构图工艺形成有源层和初始修饰层的步骤包括：在所述有源层薄膜和修饰层薄膜上涂敷光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域对应于形成有源层和初始修饰层的图形区域，所述光刻胶去除区域对应于所述图形区域之外的其它区域；对所述修饰层薄膜进行干法刻蚀以形成初始修饰层；对所述有源层薄膜进行湿法刻蚀以形成有源层。

可选的，所述通过一次构图工艺形成源极、漏极、第一修饰层和第二修饰层的步骤包括：在所述源漏金属薄膜上涂敷光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域对应于形成源极、漏极、第一修饰层和第二修饰层的图形区域，所述光刻胶去除区域对应于所述图形区域之外的其它区域；对所述源漏金属薄膜进行湿法刻蚀以形成源极和漏极；对所述初始修饰层进行干法刻蚀以形成第一修饰层和第二修饰层。

可选的，所述修饰层薄膜的材料包括石墨烯或碳纳米管；或者所述修饰层薄膜的材料包括非晶硅或多晶硅。

可选的，当所述修饰层薄膜的材料包括石墨烯或碳纳米管时，所述干法刻蚀采用的气体包括氧气或惰性气体；当所述修饰层薄膜的材料包括非晶硅或多晶硅时，所述干法刻蚀采用的气体包括氯气、四氟化碳和氧气中的至少两种。

本发明具有下述有益效果：