[发明专利]一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路在审

专利信息
申请号: 201410586314.4 申请日: 2014-10-27
公开(公告)号: CN105632553A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 邓龙利;刘铭;张建军 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬;邓猛烈
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 用于 电压 反馈 方法 电路
【说明书】:

技术领域

发明属于存储技术领域,尤其涉及一种快闪存储器及用于快闪存储器的 电压反馈方法和电路。

背景技术

目前,快闪存储器已经逐渐应用于各种电子、数码、智能产品中,诸如便 携式多媒体播放器、手机或笔记本计算机等,人们对快闪存储器的要求也越来 越高,擦写质量好、擦写效率高的快闪存储器越来越抢手。快闪存储器的存储 单元由双字线场效应管组成,即在在字线与硅衬底之间增加了一个浮置字线, 写入数据的过程就是对浮置字线施加高压进行充电的过程。

现有技术中提供了一种快闪存储器,图1为现有技术中快闪存储器的框 图。如图1所示,该快闪存储器包括:擦除/编程控制器10、电压调制器11和 存储阵列12,在擦除/编写过程中,擦除/编程控制器10选取相应的目标存储单 元,擦除/编程控制器10给电压调制器11发送一个高压使能信号,使电压调制 器11产生高压并施加在存储阵列12的目标存储单元上;存储阵列12由擦除/ 编程控制器10进行编程控制。

在快闪存储器的擦写过程中,由于不同的芯片产生高压的时间不同,以及 芯片的衰退导致产生高压的时间增大,因此传统的快闪存储器在擦写/编程过 程中会把产生高压的时间设计成最差情况下的时间,擦写/编程控制器10的内 部设置有自定时电路,在设定的高压产生时间过后,在进行下一步操作。不论 快闪存储器的性能如何,都按照最差情况下的时间来产生高压,导致产生高压 过程的时间较长,因此降低了快闪存储器的擦除/编程的效率。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的,本发明的目的在于提 出一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路,以提高快闪存储 器擦除/编程的效率。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

本发明提供一种用于快闪存储器的电压反馈方法,包括以下步骤:

检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值;

判断所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压值是否达到预 设阈值;

在施加于所述目标存储单元的电压值达到预设阈值时,向擦除/编程控制器 发送反馈信号。

进一步的,所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值之前 还包括:

擦除/编程控制器向所述电压调制器发送高压使能信号,所述高压使能信号 用于指示电压调制器产生高电压并施加给所述目标存储单元。

进一步的,所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值具体 为:擦除/编程控制器启动电压检测电路或由电压调制器接收到擦除/编程控制 器发来的高压使能信号后启动电压检测电路,以检测电压调制器产生的施加于 目标存储单元的电压值。

进一步的,还包括以下步骤:在所述电压调制器产生的施加于目标存储单 元的电压值低于预设阈值时,继续检测所述电压调制器产生的施加于所述目标 存储单元的电压值。

进一步的,所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值之前 还包括:

擦除/编程控制器根据地址信号从存储阵列中选取该地址信号对应的目标 存储单元。

进一步的,所述向擦除/编程控制器发送反馈信号之后还包括:

电压调制器对所述目标存储单元施加高电压。

本发明实施例还提供一种用于快闪存储器的电压反馈电路,包括:

检测子电路,用于实时检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压 值;

判断子电路,用于判断所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压 值是否达到预设阈值;

反馈子电路,用于将所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值 达到预设阈值的反馈信号发送给擦除/编程控制器。

进一步的,所述反馈子电路还用于当所述电压调制器产生的施加于目标存 储单元的电压值低于预设阈值时,继续检测所述电压调制器产生的施加于所述 目标存储单元的电压值。

本发明实施例还提供一种快闪存储器,包括存储阵列、擦除/编程控制器、 电压调制器,以及上述的用于快闪存储器的电压反馈电路。

进一步的,所述用于快闪存储器的电压反馈电路设置在电压调制器中,或 者是单独设置。

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