[发明专利]一种像素显示方法及其显示装置有效
申请号: | 201410587007.8 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN104319281A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 金晓丹;张林涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 显示 方法 及其 显示装置 | ||
1.一种像素显示方法,其特征在于,所述方法应用于显示装置中,所述显示装置中包括RG和GB两种模式的像素结构,且所述RG和GB模式的像素结构相邻排列,所述方法包括:
接收用以提供给所述显示装置的输入信号;
当当前处理像素位于所述显示装置的像素结构的第i行第1列时,根据所述当前像素的输入信号确定所述当前像素的输出信号;其中,i为正整数;
当当前处理像素位于所述显示装置的像素结构的第i行第j列时,根据所述当前像素的输入信号和所述当前像素的前一个像素的输入信号确定所述当前像素的输出信号;其中,j为大于1的正整数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述显示装置中的所有像素均以Delta像素排列的方式排列分布。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述当当前处理像素位于所述显示装置的像素结构的第i行第j列时,根据所述当前像素的输入信号和所述当前像素的前一个像素的输入信号确定所述当前像素的输出信号,包括:
当当前处理像素位于所述显示装置的像素结构的第i行第j列时,根据所述当前像素中的子像素G的输入信号确定所述当前像素中的子像素G的输出信号;
根据所述当前像素中的子像素R的输入信号和所述当前像素的前一个像素中的子像素R的输入信号确定所述当前像素中的子像素R的输出信号;
根据所述当前像素中的子像素B的输入信号和所述当前像素的前一个像素中的子像素B的输入信号确定所述当前像素中的子像素B的输出信号。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
所述当前像素的子像素B的输出信号的数值是根据当前像素中的子像素B的输入信号数值的第一比例的数值和所述当前像素的前一个像素的子像素B的输入信号数值的所述第一比例的数值确定的;
所述当前像素的子像素R的输出信号的数值是根据当前像素中的子像素R的输入信号数值的所述第一比例的数值和所述当前像素的前一个像素的子像素R的输入信号数值的所述第一比例的数值确定的。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,
所述当前像素中的子像素B的输出信号的数值是根据当前像素的子像素B的输入信号数值的一半的数值和所述当前像素的前一个像素中的子像素B的输入信号数值的一半的数值确定的;
所述当前像素中的子像素R的输出信号的数值是根据当前像素的子像素R的输入信号数值的一半的数值和所述当前像素的前一个像素中的子像素R的输入信号数值的一半的数值确定的。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述显示装置奇数行的像素中第n个像素排布模式是RG、第n+1个像素排布模式是GB;
所述显示装置偶数行的像素中第n个像素排布模式是GB、第n+1个像素排布模式是RG;其中,所述n为奇数。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述显示装置每一行的像素中第n个像素排布模式是RG、第n+1个像素排布模式是GB;其中,所述n为奇数。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置中包括RG和GB两种模式的像素结构,且所述RG和GB模式的像素结构相邻排列,所述显示装置还包括:
接收单元,用于接收用以提供给所述显示装置的输入信号;
第一处理单元,用于当当前处理像素位于所述显示装置的像素结构的第i行第1列时,根据所述当前像素的输入信号确定所述当前像素的输出信号;其中,i为正整数;
第二处理单元,用于当当前处理像素位于所述显示装置的像素结构的第i行第j列时,根据所述当前像素的输入信号和所述当前像素的前一个像素的输入信号确定所述当前像素的输出信号;其中,j为大于1的正整数。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
所述显示装置中的所有像素均以Delta像素排列的方式排列分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的