[发明专利]一种单电极LED芯片的制作方法及芯片结构

权利要求书

1.一种单电极LED芯片的制作方法，其特征在于，LED芯片的衬底为蓝宝石，所述LED芯片的P电极与N电极分别位于芯片的两侧，具体制作步骤如下：

S1：外延层制作：通过MOCVD在蓝宝石衬底上生长GaN外延层，包括依次位于衬底上的N-GaN层、发光层MQW与P-GaN层；

S2：制作Mesa区域：通过光刻胶保护、电感耦合等离子体干时刻机台蚀刻、光刻胶去除的方法在外延层上刻蚀得到所需的区域；

S3：透明导电层制作：通过电子束蒸发或磁控溅射方式沉积ITO薄膜后，再通过光刻、刻蚀步骤得到芯片所需的透明导电层；

S4：SiO₂保护层、P电极制作：通过PECVD沉积SiO₂保护层，并通过光刻、蒸镀、剥离的方式制作SiO₂保护层、P电极；

S5：导入高温胶带；

S6：制作N电极：通过蒸镀方式，在芯片背面蒸镀导电材料层，且导电材料层向上延伸与N-GaN层相接触形成N电极。

2.如权利要求1所述的单电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述N电极为环绕于衬底与N-GaN层周边的环绕型电极。

3.如权利要求1所述的单电极LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S4中，首先在Mesa区域及透明导电层上蒸镀生长SiO₂保护层，然后在透明导电层上方部分区域通过光刻、刻蚀、剥离步骤去除部分SiO₂保护层得到P电极的制作区域，在该制作区域内制作P电极。

4.如权利要求1所述的单电极LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S4中，首先在透明导电层上侧制作P电极，之后在Mesa区域及透明导电层上蒸镀生长SiO₂保护层，最终通过打磨减薄SiO₂保护层使得P电极上表面暴露在外。

5.如权利要求1所述的单电极LED芯片的制作方法，其特征在于，在步骤S5之前还包括芯片处理步骤，将芯片减薄、切割，扩膜处理。

6.如权利要求1所述的单电极LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S5中，高温胶带粘附于芯片的上面，在导入高温胶带前，将芯片背面朝上设置。

7.一种单电极LED芯片结构，其特征在于，所述芯片包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、外延层、透明导电层与SiO2保护层，所述透明导电层上设置有P电极，所述衬底的背面生长有N电极；所述外延层包括依次位于衬底上的N-GaN层、发光层MQW与P-GaN层；所述N电极包覆于衬底周边并向上延伸与N-GaN层至少部分接触。