[发明专利]一种用TL431实现输出欠压过压关断的保护电路在审

专利信息
申请号: 201410588931.8 申请日: 2014-10-29
公开(公告)号: CN104283193A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 桑泉;涂俊杰 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: H02H7/10 分类号: H02H7/10;H02H3/20;H02H3/24
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林;耿英
地址: 215163 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 tl431 实现 输出 压关断 保护 电路
【权利要求书】:

1. 一种用TL431实现输出欠压过压关断的保护电路,其特征是,采用TL431电压基准源构成电压检测单元来检测输出电压Vo′,当输出电压Vo′在设定的电压范围内时,控制输出端PMOS管开启;当输出电压Vo′超过设定的电压范围时,控制输出端PMOS管断开,PMOS管的输出作为DC-DC电源的输出端Vo。

2.根据权利要求1所述的用TL431实现输出欠压过压关断的保护电路,其特征是,电压检测单元包括上限电压检测单元和下限电压检测单元。

3.根据权利要求1所述的用TL431实现输出欠压过压关断的保护电路,其特征是,上限电压检测单元由第一电阻、第二电阻和第二电压基准源构成;下限电压检测单元由第三电阻、第四电阻和第一电压基准源构成。

4.根据权利要求3所述的用TL431实现输出欠压过压关断的保护电路,其特征是,第一电阻一端与输出电压Vo′连接,另一端与第二电阻的一端连接;第二电压基准源参考极连接至第一电阻、第二电阻的共连点,第二电压基准源的阴极与第三电阻一端连接,第三电阻另一端连接至输出电压Vo′,第三电阻的一端同时与第四电阻一端、第一电压基准源参考极共连,第一电压基准源的阴极同时与偏置电阻的一端、PMOS管的栅极连接,偏置电阻的另一端连接至输出电压Vo′;PMOS管的源极与输出电压Vo′连接,PMOS管的漏极连接至DC-DC电源的输出端Vo;第二电压基准源的阳极、第一电压基准源的阳极、第二电阻、第四电阻另一端共联于地。

5.根据权利要求1所述的用TL431实现输出欠压过压关断的保护电路,其特征是,电压检测单元检测的电压范围为2.8V~36V。

6.根据权利要求1所述的用TL431实现输出欠压过压关断的保护电路,其特征是,输出电压Vo′所在的区间范围为(1+R3/R4)Vref~(1+R1/R2)Vref,Vref是TL431电压基准源的基准电压值, R1、R2、R3、R4分别是第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻的阻值。

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