[发明专利]场效应晶体管堆栈电压补偿

权利要求书

1.一种开关装置，包括：

第一端子和第二端子；以及

在第一端子和第二端子之间串联连接的多个开关元件，每一个开关元件具有被配置为在连接的开关元件之间产生期望电压降概况的参数，多个开关元件中的每一个包含具有有源区域以及形成在有源区域上的源极触点、漏极触点和栅极的场效应晶体管，多个场效应晶体管包含连接到第一端子的第一场效应晶体管和连接到第二端子的第二场效应晶体管，多个场效应晶体管具有栅极宽度值的分布，第一场效应晶体管具有比其他场效应晶体管更大的栅极宽度值，栅极宽度值的分布从第一场效应晶体管的栅极宽度值减小到对应于第一场效应晶体管和第二场效应晶体管之间的一场效应晶体管的最小栅极宽度值，最小栅极宽度值小于第二场效应晶体管的栅极宽度值。

2.如权利要求1所述的开关装置，其中场效应晶体管被实现为绝缘体上的硅器件。

3.如权利要求1所述的开关装置，其中所述参数包含栅极的宽度。

4.如权利要求3所述的开关装置，其中场效应晶体管被实现为梳指配置器件，使得栅极包含多个矩形形状的栅极梳指，每一个栅极梳指实现在源极触点的矩形形状的源极梳指和漏极触点的矩形形状的漏极梳指之间。

5.如权利要求1所述的开关装置，其中所述参数包含与栅极相关联的梳指的数目。

6.如权利要求1所述的开关装置，其中期望电压降概况在连接的开关元件之间大致一致。

7.如权利要求1所述的开关装置，其中第一端子为输入端子并且第二端子为输出端子。

8.如权利要求1所述的开关装置，其中多个开关元件被配置为提供双向功能。

9.如权利要求8所述的开关装置，其中第一端子和第二端子中的任一个为输入端子，并且另一个端子为输出端子。

10.一种射频开关模块，包括：

封装基底，被配置为容纳多个组件；以及

安装在封装基底上的裸芯，该裸芯具有开关电路，该开关电路包含在第一端子和第二端子之间多个串联连接的场效应晶体管，每一个场效应晶体管具有有源区域、形成在有源区域上的源极触点、形成在有源区域上的漏极触点以及形成在有源区域上的栅极，多个场效应晶体管包含连接到第一端子的第一场效应晶体管和连接到第二端子的第二场效应晶体管，多个场效应晶体管具有栅极宽度值的分布，第一场效应晶体管具有比其他场效应晶体管更大的栅极宽度值，栅极宽度值的分布从第一场效应晶体管的栅极宽度值减小到对应于第一场效应晶体管和第二场效应晶体管之间的一场效应晶体管的最小栅极宽度值，最小栅极宽度值小于第二场效应晶体管的栅极宽度值。

11.如权利要求10所述的射频开关模块，其中选择可变尺寸以产生相应的场效应晶体管的期望电压降概况。

12.如权利要求11所述的射频开关模块，其中期望电压降概况包含与相应的场效应晶体管相关联的电压降的大致一致分布。

13.如权利要求10所述的射频开关模块，其中可变尺寸包含相应的栅极的可变宽度。

14.如权利要求10所述的射频开关模块，其中可变尺寸包含与相应的栅极相关联的栅极梳指的可变数目。