[发明专利]一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器在审
| 申请号： | 201410589674.X | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104299777A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 胡海龙;郭太良;李福山;杨尊先;周雄图;叶芸;俞伟明;张典 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 电极 多层 陶瓷 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器，包括多层交替叠加的内电极层和介质层；其特征在于：所述内电极层由石墨烯或石墨烯与纳米导电材料的复合结构薄膜构成，所述介质层由烧结陶瓷体构成。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器，其特征在于：所述内电极层的厚度取值范围为1nm-500nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器，其特征在于：所述内电极层通过印刷、喷墨、涂覆或转移的方法制备。
4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器，其特征在于：所述纳米导电材料为一维纳米材料或二维纳米材料；所述一维纳米材料为碳纳米管或金属纳米线；所述二维纳米材料为MoS2、MoSe2、MoTe2、PbS、GaS、GaSe或GaTe。
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