[发明专利]一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构

权利要求书

1.一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，它从下至上依次包括衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、浅量子阱层（5）、有源区（7）、电子阻挡层（8）和P型GaN层（9），其特征在于：所述浅量子阱层（5）与有源区（7）之间插入抑制极化效应垒层（6），所述抑制极化效应垒层（6）从下至上包括Al_xGa_1-xN层（10）和SiN层（11）；生长所述抑制极化效应垒层（6）时，Al_xGa_1-xN层（10）与SiN层（11）交替生长，生长周期为2~20个周期；所述抑制极化效应垒层（6）在氮气、氢气或者氢氮混合环境中生长，Al_xGa_1-xN层（10）的厚度随着周期数目的增加，逐渐增厚；SiN层（11）的厚度随着周期数目的增加，逐渐减薄。

2.根据权利要求1所述的具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，其特征在于：所述抑制极化效应垒层（6）中Al_xGa_1-xN层（10）的生长温度为700-1000℃， Al组分为0<x<1，厚度为5-150nm，生长压力300-700mbar；SiN层（11）的生长温度为700-1000℃，生长厚度为50-1nm，生长压力300-700mbar。

3.根据权利要求1或2所述的具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，其特征在于：所述抑制极化效应垒层（6）中Al_xGa_1-xN层（10）的生长温度为700-1000℃， Al组分为0<x<1，其Al组分为逐渐降低或Al组分不变，其Al_xGa_1-xN层生长厚度由薄逐渐变厚，或生长厚度由厚逐渐变薄，或厚度固定不变。

4.据权利要求3所述的具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，其特征在于：所述抑制极化效应垒层（6）中SiN层（11）的生长温度为700-1000℃，其生长厚度由薄逐渐变厚，或生长厚度由厚逐渐变薄，或厚度固定不变。

5.根据权利要求4所述的具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，其特征在于：生长所述抑制极化效应垒层（6）使用图形化蓝宝石衬底、平衬底、非极性衬底、Si衬底或SiC衬底。

6.一种如权利要求1所述的具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，其特征在于：所述抑制极化效应垒层（6）下层和上层交替生长的结构为GaN层和SiN层（11）、AlGaN层和SiN层（11）中任意一种结构组合。