[发明专利]半导体芯片封装方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域，尤其涉及一种半导体芯片封装方法。

背景技术

近年来，在一个封装基板上堆叠多个半导体元件的封装逐渐成为主流。现有的工艺为：提供一基板-在其上下表面及侧面都覆盖绝缘层-将铜压合在位于基板上下表面的绝缘层上-镭射打孔-蚀刻线路-覆盖镍/锡。然而，这样的封装工艺存在不足，例如，若在封装阶段的芯片具有较小的尺寸，则产品上的铜在后期的拉力测试中容易被剥落，其抗剥离能力差，而且工艺复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种解决上述技术问题的半导体芯片封装方法。

其中，本发明一实施方式的半导体芯片封装方法，包括：

提供一具有多层金属箔的PPTC基板，其包括上表面及与上表面相背的下表面；

剥离所述PPTC最外层的金属箔；

形成覆盖于PPTC基板的上表面及下表面的绝缘层；

将所述覆盖了绝缘层的PPTC基板切割成单个芯片；

形成覆盖于单个芯片侧面的绝缘层；

形成覆盖于单个芯片的上表面及下表面的防氧化层。

作为本发明的进一步改进，所述PPTC基板包括一本体，所述本体的上下表面依次覆盖有第一金属箔、第二金属箔及第三金属箔。

作为本发明的进一步改进，所述PPTC基板本体的材质为碳和树脂的复合材料。

作为本发明的进一步改进，所述第一金属箔靠近所述本体设置，所述第三金属箔远离所述本体设置，所述第二金属箔设于所述第一金属箔和第三金属箔之间。

作为本发明的进一步改进，第一金属箔和第三金属箔的材质都为镍，所述第二金属箔的材质为铜。

作为本发明的进一步改进，在“在所述PPTC基板的上表面及下表面覆盖绝缘层”步骤前包括：

蚀刻所述第二金属箔及第三金属箔。

作为本发明的进一步改进，所述“在所述PPTC基板的上表面及下表面覆盖绝缘层”步骤具体为：

通过丝网印刷将绝缘层覆盖在所述PPTC基板的上表面及下表面。

作为本发明的进一步改进，所述绝缘层的材质为环氧树脂。

作为本发明的进一步改进，所述防氧化层的材质为镍和锡。

作为本发明的进一步改进，所述“在所述单个芯片的上表面及下表面覆盖防氧化层”步骤具体为：

通过滚镀的方式将防氧化层覆盖在所述单个芯片的上表面及下表面。

与现有技术相比，本发明通过剥离PPTC最外层的金属箔，利用次外层金属箔的爪状结构与器件结合，有更好的抗剥离表现，另外，这种新工艺大大简化了工艺流程，同样实现了绝缘层包裹PPTC，降低生产成本。 

附图说明

图1是本发明封装结构一实施方式中芯片封装结构的侧视结构示意图；

图2是本发明封装结构一实施方式中PPTC基板的侧视结构示意图；

图3是本发明封装结构一实施方式中剥离了PPTC基板最外层的金属箔的侧视结构示意图；

图4是本发明封装结构一实施方式中蚀刻PPTC基板的第二金属箔及第三金属箔的侧视结构示意图；

图5是本发明封装结构一实施方式中在PPTC基板的上下表面不存在第二金属箔及第三金属箔存在的地方覆盖上绝缘层的侧视结构示意图；

图6是本发明封装结构一实施方式中将PPTC基板切割成单个芯片并在其侧面覆盖绝缘层的侧视结构示意图；

图7是本发明封装结构一实施方式中封装方法的步骤流程图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

如图1所示，在本发明一实施方式中，半导体芯片封装结构包括PPTC基板10，该PPTC基板10包括上表面和与该上表面相背的下表面。