[发明专利]有机发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410591831.0 申请日: 2014-10-29
公开(公告)号: CN104576951B 公开(公告)日: 2018-04-24
发明(设计)人: 金英一 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 尹淑梅,韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 器件 及其 制造 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年10月29日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0129559号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的一个或更多个实施例涉及一种有机发光器件和一种制造该有机发光器件的方法。

背景技术

有机发光显示设备是用低电压驱动的,轻薄并且具有广视角、良好的对比度和快速的响应时间,从而作为下一代显示设备而备受关注。

这种有机发光显示设备的发射波长广,出于这个原因,发射效率和颜色纯度降低。另外,因为从有机发射层发射的光没有方向性,所以由于有机发光器件的全内反射,导致在任意方向上发射的光子中的大部分不能抵达实际的观众,从而造成有机发光器件的光提取效率降低。为了解决这种问题,正在使用调节有机发射层厚度以形成谐振结构并因此提高光提取效率的方法。然而,难以将该谐振结构应用于其有机发射层是通过印刷法形成的有机发光显示设备。另外,在使用印刷法的有机发光显示设备中,当被涂覆液态发光材料变干时,有机发射层的厚度不均匀地形成在发射单元的边缘区域中,从而造成光的不均匀发射。

发明内容

根据本发明的一个或更多个实施例的一方面涉及一种改进了有机发射层的均匀性的有机发光器件和一种制造该有机发光器件的方法。根据本发明的一个或更多个实施例的一方面涉及一种有机发光器件和一种制造该有机发光器件的方法,在该方法中(在使用(利用)印刷法制造有机发光器件的方法中),薄薄地形成像素限定层的厚度,因此,防止光从发射单元的边缘区域发射,从而提高所提取光的质量。

额外的方面将在随后的描述中部分地阐述,并且部分地将通过描述清楚,或者可以通过所提出的实施例的实践来获知。

根据本发明的一个或更多个实施例,一种有机发光器件包括:第一像素电极,在基板上;第一导电膜,在基板上并且被构造成覆盖第一像素电极;第二导电图案和绝缘层,顺序地形成在第一导电膜上,第二导电图案和绝缘层具有暴露第一导电膜的顶部的一部分的开口;空穴注入层,在开口和绝缘层上,以覆盖第一导电膜的被暴露的部分;空穴传输层,形成在开口和空穴注入层的部分区域上;发射层,在空穴传输层上。

第一导电膜的导电率可以为大约10-5S/cm至大约10-3S/cm,第一导电膜的逸出功可以为大约5.0eV至大约5.7eV。

空穴注入层可以被形成为围绕绝缘层的被暴露的侧表面和第二导电图案的被暴露的侧表面。

第二导电图案的厚度可以为大约1nm至大约10nm,绝缘层的厚度可以为大约10nm至大约90nm。

均具有开口的第二导电图案和绝缘层形成像素限定层。

空穴传输层可以包括其中形成有发射层的空白区域。

可以通过凹版涂覆法、狭缝涂覆法、棒涂覆法、喷涂法、真空过滤法、旋涂法、电泳沉积法、铸造法、喷墨印刷法和/或胶版印刷法来形成绝缘层。

可以通过喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或静电喷射印刷法来形成发射层。

有机发光器件还可以包括:电子传输层,在发射层上;电子注入层,在电子传输层上。

所述空穴注入层可以由酞菁化合物、DNTPD(N,N′-二苯基-N,N′-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基-联苯基-4,4′-二胺])、m-MTDATA(4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA(4,4′,4″-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)和/或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)形成。

有机发光器件还可以包括:第二像素电极,在发射层上;包封单元,包括交替地形成以覆盖第二像素电极的一个或更多个无机层和一个或更多个有机层。

根据本发明的一个或更多个实施例,一种制造有机发光器件的方法包括:在基板上形成第一像素电极;形成第一导电膜以覆盖第一像素电极;顺序地形成第二导电图案和绝缘层,以具有暴露第一导电膜的顶部的一部分的开口;在开口和绝缘层上形成空穴注入层;在开口和空穴注入层的部分区域上形成空穴传输层;在空穴传输层上形成发射层。

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