[发明专利]N型HIT太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201410591937.0 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104393063B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张天明 | 申请（专利权）人： | 四川亚欧鼎新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人： | 杨保刚 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | hit 太阳能电池 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型HIT太阳能电池结构：包括N型单晶硅片(1)、N型单晶硅片(1)正反面沉积本征非晶硅膜(2)，在正面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉积P型重掺杂非晶硅膜(3)、SiO2薄膜(5)和p型掺杂石墨烯薄膜(7)，在正面P型掺杂石墨烯薄膜(7)上印刷银金属栅线正电极(9)；在N型单晶硅片背面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉积N型重掺杂非晶硅薄膜(4)、沉积Al2O3薄膜(6)和IWO透明导电薄膜(8)，在背面透明的IWO导电薄膜(8)上印刷银金属栅线负电极(10)。
2.根据权利要求1所述的N型HIT太阳能电池结构，其特征在于，所述的p型掺杂石墨烯薄膜(7)的石墨烯的掺杂浓度为1013cm-2。
3.根据权利要求1所述的N型HIT太阳能电池结构，其特征在于，所述的本征非晶硅层(2)、N型重掺杂非晶硅层(4)、P型重掺杂非晶硅层(3)、SiO2薄膜(5)、Al2O3薄膜(6)缓冲层均采用PECVD沉积。
4.根据权利要求1所述的N型HIT太阳能电池结构，其特征在于，所述的本征非晶硅层(2)厚度在5-15nm。
5.根据权利要求1所述的N型HIT太阳能电池结构，其特征在于，所述的IWO薄膜(8)采用脉冲激光沉积法进行沉积，沉积的厚度约为80nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
