[发明专利]一种低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法有效
| 申请号： | 201410592544.1 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104402441A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王连军;张欣;顾士甲;江莞;赵涛;许虹杰;李华坚 | 申请（专利权）人： | 东华大学;上海柯瑞冶金炉料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201620 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 快速 烧结 制备 碳化 陶瓷材料 方法 | ||
1.一种低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法，其特征在于，包括：采用硬模板作为结构导向剂，利用纳米浇铸法合成多孔碳化硼粉体；将多孔碳化硼粉体装入石墨模具中，放入放电等离子体烧结炉的炉腔内，在真空、惰性气氛或者还原性气氛下进行烧结，烧结的温度为1000～2000℃，烧结完成后随炉冷却至室温，经过研磨即得碳化硼陶瓷材料。
2.如权利要求1所述的低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法，其特征在于，所述的硬模板是微孔、介孔和大孔的多孔氧化硅材料中的一种或几种。
3.如权利要求1所述的低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法，其特征在于，所述的纳米浇铸法是将前驱体双十碳硼烷基-己烷引入到硬模板的孔道中，在800-1300℃原位转化为碳化硼，通过含有氢氟酸的醇溶液腐蚀掉硬模板，从而得到多孔碳化硼粉体。
4.如权利要求3所述的低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法，其特征在于，所述的将前驱体双十碳硼烷基-己烷引入到硬模板的孔道中的方法为：将硬模板和前驱体双十碳硼烷基-己烷分散到无水乙醇中搅拌均匀，旋转蒸发溶剂或挥发溶剂将前驱体双十碳硼烷基-己烷引入到硬模板的孔道中。
5.如权利要求1所述的低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法，其特征在于，所述的多孔碳化硼粉体的孔道排列无序或者有序，孔径为1-50nm，比表面积为100-800g/cm3。
6.如权利要求1所述的低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法，其特征在于，所述的烧结的压力为25～100MPa，升温速率为50～200℃/min，保温时间为0～10分钟。
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