[发明专利]HVPE腔室硬件

权利要求书

1.一种氢化物汽相外延(HVPE)设备，包括：

第一腔室主体；

第二腔室主体，与所述第一腔室主体相连；

舟，位于所述第二腔室主体中；

第一加热元件，与所述舟耦接；

第二加热元件，与所述第一腔室主体耦接；

气体分配元件，配置于所述第一腔室主体中；

基座，配置于所述第一腔室主体中且与所述气体分配元件相对；

一个或多个第三加热元件，配置于所述基座下方；

第一管，配置于所述第一腔室主体中所述基座的外围，所述第一管与所述舟耦接；以及

第二管，与所述第一管耦接，所述第二管具有多个开口贯穿自身。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一腔室主体包括一个或多个环并且具有一个或多个壁，所述一个或多个环包括不透明石英，所述一个或多个壁包括透明石英。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括腔室盖，所述腔室盖与所述第一腔室主体耦接且位于所述气体分配元件上方，其中所述气体分配元件是气体分配喷头。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述基座包括碳化硅。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括真空泵，所述真空泵在所述基座下方的一位置处与所述腔室主体耦接。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，第一气体管和第二气体管各自包括透明石英。

7.一种氢化物汽相外延(HVPE)方法，包括：

将基板插入处理腔室中，所述处理腔室具有配置于基座上方的气体分配喷头，所述基板配置于所述基座上，所述处理腔室亦具有配置于所述处理腔室中且在所述气体分配喷头与所述基座之间的气体入口；

在所述处理腔室远端加热第一反应性气体；

通过所述气体入口引导所述第一反应性气体进入所述处理腔室；

通过所述气体分配喷头引导第二反应性气体至所述处理腔室；

加热所述基座至第一温度；

加热所述处理腔室至第二温度，所述第二温度低于所述第一温度，热梯度在所述处理腔室中产生；

旋转所述基板；以及

沉积一层于所述基板上，所述层是所述第一反应性气体与所述第二反应性气体的反应性产物。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法是氢化物汽相外延方法。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述处理腔室远端加热第三反应性气体；以及

通过所述气体入口引导所述第三反应性气体进入所述处理腔室。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一反应性气体包括氯化镓。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二反应性气体包括氨。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第三反应性气体包括氯化铝。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板包括蓝宝石。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括加热含氯气体并流动所加热的含氯气体越过前驱物。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述前驱物选自液态镓与粉末铝所构成的群组。