[发明专利]一种MEMS麦克风及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410593751.9 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105635926B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 麦克风 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS麦克风的制备方法，包括：
步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有振膜，在所述振膜上形成有牺牲材料层；
步骤S2：在所述牺牲材料层上依次形成等离子体增强SiN层和低压SiN层，以形成背板；
步骤S3：图案化所述背板，以在所述背板中形成若干开口；
步骤S4：再次沉积牺牲材料层，以覆盖所述背板并填充所述开口；
步骤S5：执行MEMS工艺，然后去除所述背板两侧的所述牺牲材料层，以分别形成麦克风空腔和背腔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述低压SiN层的厚度为100nm-200nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述低压SiN层的沉积温度为700℃-800℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述低压SiN层的沉积时间为30min-90min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述低压SiN层的沉积压力小于1torr。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲材料层选用等离子体增强氧化物。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中选用缓冲氧化蚀刻剂进行湿法蚀刻，以去除所述牺牲材料层。
8.一种基于权利要求1至7之一所述方法制备得到的MEMS麦克风。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的MEMS麦克风。
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