[发明专利]一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)配制氧化石墨烯分散液；

(2)将氧化石墨烯分散液喷射在基板上，形成氧化石墨烯薄膜；

(3)对氧化石墨烯薄膜进行化学还原或紫外光照射，形成石墨烯薄膜；

(4)在石墨烯薄膜的两端，用导电胶接入两根铜电极，在两电极间连接欧姆表；

(5)在石墨烯薄膜上继续喷涂或刷涂高分子溶液，形成高分子乳胶膜。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯分散液中含有纳米级二氧化钛，其中氧化石墨烯与二氧化钛的重量比为1∶2～2∶1。

3.根据权利要求2所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯分散液中含有增强导电材料与纳米级二氧化钛，其中石墨烯与增强导电材料的重量比为3∶1～8∶1，氧化石墨烯与二氧化钛的重量比为1∶2～2∶1。

4.根据权利要求3所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的增强导电材料为碳纳米管或金属纳米线。

5.根据权利要求2所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的石墨烯薄膜为石墨烯/二氧化钛复合薄膜，其中石墨烯与二氧化钛的重量比为1∶2～2∶1。

6.根据权利要求5所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的石墨烯薄膜为石墨烯/增强导电材料/二氧化钛复合薄膜，其中石墨烯与增强导电材料的重量比为3∶1～8∶1，氧化石墨烯与二氧化钛的重量比为1∶2～2∶1。

7.根据权利要求1所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的基板为聚四氟乙烯基板或硅胶基板，所述的高分子乳胶膜为苯丙乳胶膜或丙烯酸膜。

8.根据权利要求1所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的石墨烯薄膜的厚度为2nm-20nm，所述的高分子乳胶膜的厚度为0.1um-1mm。

9.根据权利要求1所述的一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法，其特征在于，所述的化学还原包括HI酸还原或水合肼还原。