[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法有效

申请号：	201410594339.9	申请日：	2014-10-29
公开（公告）号：	CN104300048A	公开（公告）日：	2015-01-21
发明（设计）人：	刘岩;马玉玲;彭璐;徐现刚	申请（专利权）人：	山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号：	H01L33/02	分类号：	H01L33/02
代理公司：	济南日新专利代理事务所 37224	代理人：	王书刚
地址：	261061 ***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	一种 gan 发光二极管芯片制备方法
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【权利要求书】：

1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)在GaN基外延片的p型GaN层的上表面涂正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出所需台面结构的图形；根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；所述干法刻蚀为ICP刻蚀，刻蚀过程包括两步，第一步采用Cl₂和BCl₂为刻蚀气体，刻蚀GaN基外延层至n型GaN层，第二步采用O₂作为刻蚀气体，去除残留的光刻胶；经过干法刻蚀，不仅完成台面结构图形的制作，而且将表面清洗干净，能够直接进行下一步的ITO生长；

(2)在p型GaN层的表面生长一层ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)透明导电膜；

(3)分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极；

(4)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。

2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中p型GaN层的上表面所涂正性光刻胶的厚度为2-6μm。

3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中刻蚀过程的第一步采用Cl₂/BCl₂为刻蚀气体，50-100sccm/5-20sccm，2-8mTorr，RF Power1 200-500W，RF Power2 100-300W，温度0-20℃。

4.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中刻蚀过程的第二步采用O₂为刻蚀气体，20-80sccm，5-20mTorr，RF1 200-800W，RF250-300W，温度0-20℃。

5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(2)的ITO透明导电膜的厚度为1000－3000埃。

6.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(4)中GaN基发光二极管芯片的上表面沉积的钝化层厚度为

7.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(4)中钝化层为氧化硅薄膜。

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