[发明专利]声表面波器件、电子设备以及传感器装置

权利要求书

1.一种声表面波器件，其特征在于，具有：

水晶基板，其欧拉角为(－1.5°≤φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，ψ)；

叉指换能器，其由被设置于所述水晶基板的主面上的多个电极指构成，且激振阻带上限模式的声表面波；

电极指间槽，其凹设在所述叉指换能器的相邻的所述电极指之间的、所述水晶基板的表面上，

所述声表面波的波长λ与所述电极指间槽的深度G满足0.01λ≤G的关系，

所述叉指换能器的线占有率η与所述电极指间槽的深度G满足如下式11以及式12的关系，即，

式11

－2.0000×G/λ+0.7200≤η≤－2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0100λ≤G≤0.0500λ；

式12

－3.5898×G/λ+0.7995≤η≤－2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0500λ＜G≤0.0695λ；

所述欧拉角ψ满足|ψ|≠90°×n，其中，n＝0、1、2、3，

所述电极指的膜厚H在0.05μm≤H＜0.20μm的范围内。

2.一种声表面波器件，其特征在于，具有：

水晶基板，其欧拉角为(－1.5°≤φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，42.79°≤│ψ│≤49.57°)；

叉指换能器，其由被设置于所述水晶基板的主面上的多个电极指构成，且激振阻带上限模式的声表面波；

电极指间槽，其凹设在所述叉指换能器的相邻的所述电极指之间的、所述水晶基板的表面上，

所述声表面波的波长λ与所述电极指间槽的深度G满足0.01λ≤G的关系，

所述叉指换能器的线占有率η与所述电极指间槽的深度G满足如下式13以及式14的关系，即，

式13

－2.0000×G/λ+0.7200≤η≤－2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0100λ≤G≤0.0500λ；

式14

－3.5898×G/λ+0.7995≤η≤－2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0500λ＜G≤0.0695λ；

所述电极指的膜厚H在0.055μm≤H＜0.20μm，或者，0.20μm＜H≤0.335μm的范围内。

3.如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，

所述电极指的膜厚H在0.080μm≤H＜0.20μm的范围内。

4.如权利要求2或3所述的声表面波器件，其特征在于，

所述叉指换能器的线占有率η满足如下式15，即，

式15

－1963.05×(G/λ)³+196.28×(G/λ)²－6.53×(G/λ)

－135.99×(H/λ)²+5.817×(H/λ)+0.732

－99.99×(G/λ)×(H/λ)－0.04≤η≤

－1963.05×(G/λ)³+196.28×(G/λ)²－6.53×(G/λ)

－135.99×(H/λ)²+5.817×(H/λ)+0.732

－99.99×(G/λ)×(H/λ)+0.04。

5.如权利要求2或3所述的声表面波器件，其特征在于，

所述电极指间槽的深度G与所述电极指的膜厚H之和，满足0.0407λ≤G+H。

6.如权利要求2或3所述的声表面波器件，其特征在于，

还具有一对反射器，所述一对反射器分别由被设置于所述水晶基板的主面上的多个导体条构成，并沿着所述声表面波的传播方向以夹着所述叉指换能器的方式而配置于所述叉指换能器的两侧；

导体条间槽，其凹设在所述反射器的相邻的所述导体条之间的、所述水晶基板的表面上，

与所述电极指以及所述导体条正交的第一方向、和所述水晶基板的电轴所成的角度为，所述欧拉角ψ，

所述叉指换能器以及反射器的至少一部分被配置于，以与所述第一方向成角度δ而交叉的第二方向上，

所述角度δ与所述水晶基板的能流角PFA的关系满足PFA－1°≤δ≤PFA+1°。

7.如权利要求1至3中任一项所述的声表面波器件，其特征在于，

还具有用于驱动所述叉指换能器的电路。