[发明专利]薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法有效
| 申请号： | 201410594803.4 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104409347B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王武;邱海军;尚飞;王国磊 | 申请（专利权）人： | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：
在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；
在所述第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；
采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层；具体包括：对所述第一光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第一电极对应的图案所在区域以外的第一光刻胶层；对所述第一金属层进行刻蚀，形成所述第一电极层；剥离剩余的所述第一光刻胶层；
形成只覆盖在所述第一电极层上的保护层；具体包括：在所述衬底基板上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上涂覆光刻胶，形成第三光刻胶层；对所述第三光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在所述第一电极层区域以外的第三光刻胶层；对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成所述保护层；剥离剩余的所述第三光刻胶层；
在所述衬底基板上沉积金属形成第二金属层；
在所述第二金属层上涂覆光刻胶，形成第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；
对所述第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及所述第二电极层与所述第一电极层之间的沟道；
剥离剩余的所述第二光刻胶层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤：剥离剩余的所述第二光刻胶层之后还包括：
刻蚀去除所述保护层。
3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一电极层为源极层，所述第二电极层为漏极层。
4.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一电极层为漏极层，所述第二电极层为源极层。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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